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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 5025 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P55DT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 550 वी 4 ए (टीए) 10V 1.88OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O, F (J (J (J (J (J ( -
सराय
 ECAD 8839 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y, T6CKF (J) -
सराय
 ECAD 5365 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC3328 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 9918 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5, S1F 6.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK28N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 130MOHM @ 13.8A, 10V 4.5V @ 1.6MA 90 सारा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6MURAF (J) -
सराय
 ECAD 3172 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG, C, EL -
सराय
 ECAD 4777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) ULN2803 1.31W 18-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1,000 50 वी 500ma - 8 सराय 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीसी) 18V 118MOHM @ 15a, 18v 5V @ 600 ATAA 28 स्याह @ 18 वी +25v, -10v 873 पीएफ @ 400 वी - 111W (टीसी)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2682 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 2.5V 136MOHM @ 1A, 2.5V 1V @ 1MA 10.6 सना ± 8V 568 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L, NKOD, Q) -
सराय
 ECAD 1913 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH05 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 5 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL, LQ 0.7900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 87 ए (टीए), 49 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 6mohm @ 24.5a, 10v 2.4V @ 200 @a 30 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2700 पीएफ @ 20 वी - 1.8W (TA), 81W (टीसी)
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W, S5X 1.7800
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 7.8 ए (टीए टीए) 10V 650MOHM @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 7464 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F30, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS20 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 mV @ 2 ए 60 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 380pf @ 0v, 1MHz
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C, S1F 48.8100
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 100 ए (टीसी) 18V 22mohm @ 50a, 18v 5V @ 11.7ma 128 ranah @ 18 वी +25v, -10v 4850 पीएफ @ 400 वी - 342W (टीसी)
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409, LF 0.1900
सराय
 ECAD 9037 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 (T5L, F, T) 0.2800
सराय
 ECAD 727 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2104 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907, LF 0.2800
सराय
 ECAD 3821 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A, LQ (CO) -
सराय
 ECAD 9799 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK1P90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK1P90ALQ (CO) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 900 वी 1 ए (टीए) 10V 9ohm @ 500ma, 10v 4V @ 1MA 13 सराय @ 10 वी ± 30V 320 पीएफ @ 25 वी - 20W (टीसी)
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8062-H, LQ (CM (CM (CM (CM) -
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8062 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 28 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 300µA 34 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 42W (टीसी)
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3198 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1, S4X 1.5500
सराय
 ECAD 9909 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK34A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 34 ए (टीसी) 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 4V @ 500µA 38 सना ± 20 वी 2600 पीएफ @ 50 वी - 35W (टीसी)
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, BOSCHQ (J (J) -
सराय
 ECAD 2292 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 (एफ) -
सराय
 ECAD 1045 0.00000000 तमाम U-mosiii थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3662 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 35 ए (टीए) 4V, 10V 12.5mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 5120 पीएफ @ 10 वी - 35W (टीसी)
CMF04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF04 (TE12L, Q, M) 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMF04 तमाम एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 2.5 वी @ 500 एमए 100 एनएस 50 µa @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 500ma -
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL, L1Q 1.6400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R70 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 1MA 67 सना ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TTA003, L1NQ (ओ (ओ) 0.6900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TTA003 १० सन्निक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 वी 3 ए 100NA (ICBO) तमाम 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL, LQ 0.9900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 88 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 44A, 4.5V 2.1V @ 300µA ५० सदाबहार @ १० ± 20 वी 3825 पीएफ @ 15 वी - 90W (टीसी)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK110E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 42 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 87W (टीसी)
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