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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5, S1VQ 5.2000
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK16J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6JVC1, FM -
सराय
 ECAD 6789 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2113 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 47
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60x5, S1F 4.5900
सराय
 ECAD 8939 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK25N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 140mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 सना ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma (TA), 330mA (TA) 630MOHM @ 200mA, 5V, 1.31OHM @ 100ma, 4.5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V, 1.2NC @ 4V 46pf @ 10v, 43pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279, H3F 0.4800
सराय
 ECAD 1082 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV279 ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 6.5pf @ 10v, 1MHz कसना 15 वी 2.5 C2/C10 -
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (सीटी) 0.3500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F, S4X 1.0400
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K2A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 6 ए (टीए) 10V 1.2OHM @ 3A, 10V 4V @ 630µA 21 सना ± 30V 740 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K345 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 33MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA ३.६ सदा ± 8V 410 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D (STA4, Q, M) 3.0300
सराय
 ECAD 4530 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK14A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 14 ए 340MOHM @ 7A, 10V - - -
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C, S1F 9.6200
सराय
 ECAD 96 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 20 ए (टीसी) 18V 145MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1.2MA 21 सना +25v, -10v 600 पीएफ @ 400 वी - 76W (टीसी)
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y (TE12L, ZC 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ५०० तंग पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 120MHz
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LXHF 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N62 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma (TA) 85MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMF02 तमाम एम-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMF02 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 1 ए 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D (STA4, Q, M) 1.7100
सराय
 ECAD 8473 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK9A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 9 ए (टीए) 10V 770MOHM @ 4.5A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 4053 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6113 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 55MOHM @ 2.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 10 एनसी @ 5 वी ± 12V 690 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL, LF 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1587 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2962, t6wnlf (m) -
सराय
 ECAD 5951 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J (TE85L, F) 0.6100
सराय
 ECAD 6062 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4B102 750MW एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8 ए, 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 140MV @ 20MA, 600mA / 200MV @ 20MA, 600MA 200 @ 200mA, 2V -
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (T5L, T) -
सराय
 ECAD 2761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J114 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 4V 149MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA 7.7 सना ± 8V 331 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
सराय
 ECAD 7126 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 16 वी सतह rurcur To-243aa RFM04U6 470MHz MOSFET पीडबmun-मिनी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 2 ए ५०० तंग 4.3W 13.3db - 6 वी
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1, S4X 1.0700
सराय
 ECAD 7780 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK46A08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 46 ए (टीसी) 10V 8.4MOHM @ 23A, 10V 4V @ 500µA 37 सना ± 20 वी 2500 पीएफ @ 40 वी - 35W (टीसी)
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3952 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1A01 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE, LF (सीटी ((() 0.2400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702, LF 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1702 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
सराय
 ECAD 7205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय २.२ किलो
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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