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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LF 0.2200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W, S1F 3.8600
सराय
 ECAD 7047 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK17N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
सराय
 ECAD 7312 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) 2-फ, फmun लीड लीड JDH2S01 फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 २५ सना हुआ 0.6pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - एकल 4V -
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W, S1VF 4.1900
सराय
 ECAD 7281 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK16N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X, LQ 5.3300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK31V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 98MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 240W (टीसी)
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1, RQ (s -
सराय
 ECAD 3613 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK20P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 29MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 985 पीएफ @ 10 वी - 27 कनम (टीसी)
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y, RQ 1.9500
सराय
 ECAD 7937 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK290P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 11.5 ए (टीसी) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 730 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0.0718
सराय
 ECAD 6225 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) 2-फ, फmun लीड लीड JDV2S07 फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 4.9pf @ 1V, 1MHz तंग - एकल 10V -
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (T5L, T) -
सराय
 ECAD 2761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J114 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 4V 149MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA 7.7 सना ± 8V 331 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0.4300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA 4.7 vapak @ 4.5 वी +6v, -8v 290 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V सराय -स
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
सराय
 ECAD 1169 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK9A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 9.3 ए (टीए टीए) 10V 500MOHM @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 7888 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 1 कांप 10 कांपो
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1, RQ (s -
सराय
 ECAD 5821 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK45P03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 22.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1500 पीएफ @ 10 वी - -
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR, L3F 0.3200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 2SA2154 100 तंग Cst3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage JDH3D01STE85LF -
सराय
 ECAD 3604 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-75, SOT-416 Jdh3d01 एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 २५ सना हुआ 0.6pf @ 0.2V, 1MHz schottky 4V -
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342 (TE16L1, NQ) -
सराय
 ECAD 3368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK3342 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 250 वी 4.5 ए (टीए () 10V 1OHM @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 440 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE, LM 0.4300
सराय
 ECAD 111 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 8.5pf @ 3V सराय -स
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N815 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.8W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 2 ए (टीए) 103MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.1NC @ 4.5V 290pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L, LXHQ 1.4100
सराय
 ECAD 3162 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA 125 सना +10V, -20V 6510 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1, S1X 3.9800
सराय
 ECAD 7657 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK100E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीए) 10V 3.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 130 सना ± 20 वी 9000 पीएफ @ 40 वी - 255W (टीसी)
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W, S4VX 2.6600
सराय
 ECAD 4513 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 8 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 4A, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 सना ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU (T5L, F -
सराय
 ECAD 3812 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.1ohm @ 500mA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25v सराय -स
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMF02 तमाम एम-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMF02 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 1 ए 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS, LF 0.2500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3J15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2962, t6f (j (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 4247 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv271tph3f -
सराय
 ECAD 8514 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV271 यूएससी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 ५० सदा 0.4pf @ 50v, 1MHz पिन - एकल 50 वी 4.5ohm @ 10ma, 100mHz
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308 (Th3, f) -
सराय
 ECAD 8277 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ईएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 ५० सदा 0.5pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry75 (Te85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 7359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry75 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4.5 V 7.5 वी 30 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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