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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R, LF 0.3700
सराय
 ECAD 121 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J338 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 12 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 8V 17.6MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1MA १ ९। ± 10V 1400 पीएफ @ 6 वी - 1W (TA)
TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16, lm 0.2100
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड TBAS16 तमाम -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 80 वी - 215mA -
CRG03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG03 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 5772 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG03 तमाम एस-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CRG03 (TE85L, Q) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
1SS362TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362TE85LF 0.3000
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1SS362 तमाम एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119 (एफ) -
सराय
 ECAD 6890 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 2SK1119 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 1000 वी 4 ए (टीए) 10V 3.8ohm @ 2a, 10v 3.5V @ 1MA 60 सना ± 20 वी 700 पीएफ @ 25 वी - 100W (टीसी)
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU, LF 0.2500
सराय
 ECAD 703 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 300ma 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10v -
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W, VQ 34.7700
सराय
 ECAD 5509 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl TK100L60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 100 n- चैनल 600 वी 100 ए (टीए) 10V 18mohm @ 50a, 10v 3.7V @ 5MA 360 KANAK ± 30V 15000 पीएफ @ 30 वी - 797W (टीसी)
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF 0.3500
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS190 तमाम -59-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 4pf @ 0v, 1MHz
SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFU, LF 0.2300
सराय
 ECAD 102 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TPCP8J01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8J01 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 7498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8J01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीएस -8 - रोहस अफ़मार TPCP8J01 (TE85LFM Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 32 वी 5.5 ए (टीए () 4V, 10V 35MOHM @ 3A, 10V 2V @ 1ma 34 सना ± 20 वी 1760 पीएफ @ 10 वी - 2.14W (TA)
1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398TE85LF 0.5000
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS398 तमाम एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 400 वी 100ma 1.3 वी @ 100 एमए 500 एनएस 100 kay @ 400 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 8298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2608 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z, RQ 4.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B (TE85L, QM 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS10I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 450 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 62pf @ 10v, 1MHz
1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393SU, LF 0.4000
सराय
 ECAD 180 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS393 schottky एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CRH02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH02 (TE85L, Q, M) 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRH02 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 एमवी @ 500 एमए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4601 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 548 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4601 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS382TE85LF 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -82 1SS382 तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3F (सीटी ((((() 0.1800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK880 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 50 वी २.६ सना 1.5 वी @ 100 सवार
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 9652 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2902 200MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3843 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2901 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J321T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4337 0.00000000 तमाम U-mosv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J321 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.2 ए (टीए () 1.5V, 4.5V 46MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 8.1 सना ± 8V 640 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL, LQ 0.9400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN11006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 17 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
2SB1258 Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1258 -
सराय
 ECAD 2065 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SB1258 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SB1258TS 0000.00.0000 50
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J327R, LF 0.4000
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J327 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.9 ए (टीए टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना ± 8V 290 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 107 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2305 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa949-y, f (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 1766 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1104 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 47 47
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 3435 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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