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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम R पruguth की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N (S1, E, S) 2.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SA1943 150 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2SA1943N (S1ES) Ear99 8541.29.0075 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (T6MITIFM -
सराय
 ECAD 7080 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2229YT6MITIFM Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SA1020-Y,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, F (M (M) -
सराय
 ECAD 1478 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SA1020-yf (एम) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK065N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065N65Z, S1F 7.1500
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK065N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK065N65ZS1F Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 38 ए (टीए) 10V 65MOHM @ 19A, 10V 4V @ 1.69ma 62 सना ± 30V 3650 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7969 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1108 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २२ सिपाही 47
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36FS, LF 0.2900
सराय
 ECAD 31 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23 ranak @ 4 वी ± 10V 46 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O, LF -
सराय
 ECAD 4240 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12v 80MA एनपीएन 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D, RQ 0.9000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 250 वी 13 ए (टीए) 10V 250mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1100 पीएफ @ 100 वी - 96W (टीसी)
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, निककीक (निककीक () -
सराय
 ECAD 2832 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2257 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SC6026 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 60MHz
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0.4300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 60 वी 400ma (TA) 4V, 10V 1.55OHM @ 200mA, 10V 2V @ 1ma 3 सता @ 10 वी +10V, -20V 82 पीएफ @ 10 वी - 600MW (TA)
SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56FS, LF 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
CLS02(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, CANO-O, Q -
सराय
 ECAD 4848 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS02 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 420pf @ 10v, 1MHz
SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BS, LF -
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 2.1ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA ± 20 वी 17 पीएफ @ 25 वी - 200MW (TA)
TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040Z65Z, S1F 12.5400
सराय
 ECAD 2107 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK040Z65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK040Z65ZS1F Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 57 ए (टीए) 10V 40mohm @ 28.5a, 10v 4V @ 2.85ma 105 सना ± 30V 6250 पीएफ @ 300 वी - 360W (टीसी)
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H (TE85L, F -
सराय
 ECAD 2466 0.00000000 तमाम U-mosiii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 2.2 ए (टीए) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.1a, 10v 2.3V @ 1MA 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 360 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R, LF 0.4600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K2615 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 3.3V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma ± 20 वी 150 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1655 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8OHM @ 10MA, 4V - 11 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK40J20D,S1F(O Toshiba Semiconductor and Storage TK40J20D, S1F (O (O) -
सराय
 ECAD 6850 0.00000000 तमाम π-mosviii शिर शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK40J20 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) - 1 (असीमित) 264-TK40J20DS1F (ओ (((((() Ear99 8541.29.0095 100 n- चैनल 200 वी 40 ए (टीए) 10V 44MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 4300 पीएफ @ 100 वी - 260W (टीसी)
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1, S4X 1.0500
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 35 ए (टीसी) 10V 12.2MOHM @ 17.5A, 10V 4V @ 300µA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1700 पीएफ @ 40 वी - 30W (टीसी)
TPC6503(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6503 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 1614 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6503 1.6 डब वीएस -6 (2.9x2.8) - रोहस अफ़मार TPC6503 (TE85LFM) Ear99 8541.29.0095 3,000 30 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 10MA, 500mA 400 @ 150ma, 2V -
TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L, LXHQ 1.6500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC (TPL3) -
सराय
 ECAD 1853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) DSF01S30 schottky एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 9.3pf @ 0v, 1MHz
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392, एलएफ 0.3600
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS392 schottky एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa1869-y (कtun, एम) -
सराय
 ECAD 1659 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1869 १० सन्निक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 600MV @ 200ma, 2a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1104T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104T5LFT 0.3800
सराय
 ECAD 528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1104 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK100S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 सना ± 20 वी 5490 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D, S1F -
सराय
 ECAD 6491 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS16N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 8 ए (डीसी) 1.7 वी @ 8 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341, S4X (s 2.0600
सराय
 ECAD 7000 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu तमाम ४५ दुर्विक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 300V, 20A, 33OHM, 15V 90 एनएस - 600 वी 20 ए 80 ए 2V @ 15V, 20A 500 जो (ऑन), 400) जे (बंद) 60NS/240NS
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D (STA4, Q, M) 1.6800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 8 ए (टीए) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
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