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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम R पruguth की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B, S4X 1.6000
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TTD1409 2 डब To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 400 वी 6 ए 20 ए (आईसीबीओ) तमाम 2V @ 40ma, 4 ए 600 @ 2 ए, 2 वी -
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL, L1Q 1.6300
सराय
 ECAD 8490 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.4MOHM @ 30A, 4.5V 2.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 5435 पीएफ @ 30 वी - 132W (टीसी)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R, LXHF 0.4700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.9 ए (टीए टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 290 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B (TE85L, QM 0.1292
सराय
 ECAD 7231 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS15I30 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 400 mV @ 1.5 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए 82pf @ 10v, 1MHz
TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H, LQ 3.2800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 12 ए 0 एनएस 120 µA @ 650 V 175 ° C 12 ए 778PF @ 1V, 1MHz
SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R, LF 0.6300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K810 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2711, LF 0.3000
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2711 200MW यूएसवी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL, L1Q 2.9000
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 1MA 67 सना ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357, H3F 0.1900
सराय
 ECAD 96 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS357 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 11pf @ 0v, 1MHz
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125, LQ (s 0.7300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8125 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 13MOHM @ 5A, 10V 2V @ 500µA 64 सना +20V, -25V 2580 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40, H3F 0.3700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS15 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 630 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-y (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4215 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 17db ~ 23db 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2db ~ 5db @ 100mHz
RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7A10PL, S4X 1.5200
सराय
 ECAD 2989 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6R7A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 56 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6.7MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 500µA 58 सना ± 20 वी 3455 पीएफ @ 50 वी - 42W (टीसी)
TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1, S1X 1.4600
सराय
 ECAD 7818 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK58E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीए) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 110W (टीसी)
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 3286 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 HN2S02 schottky तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LXHF (सीटी) 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1, S4X 1.2300
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK40A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीसी) 10V 10.4mohm @ 20a, 10v 4V @ 300µA 23 सना ± 20 वी 1700 पीएफ @ 30 वी - 30W (टीसी)
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 7495 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -97 2SK3388 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-((9.2x9.2) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,500 n- चैनल 250 वी 20 ए (टीए) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 4000 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TK9A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E, S4X 2.2100
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK9A90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 9 ए (टीए) 10V 1.3OHM @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W, S1VX 2.8600
सराय
 ECAD 4631 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK16E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa1869-y (कtun, एम) -
सराय
 ECAD 1659 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1869 १० सन्निक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 600MV @ 200ma, 2a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D, S1F -
सराय
 ECAD 6491 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS16N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 8 ए (डीसी) 1.7 वी @ 8 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341, S4X (s 2.0600
सराय
 ECAD 7000 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu तमाम ४५ दुर्विक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 300V, 20A, 33OHM, 15V 90 एनएस - 600 वी 20 ए 80 ए 2V @ 15V, 20A 500 जो (ऑन), 400) जे (बंद) 60NS/240NS
RN1104T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104T5LFT 0.3800
सराय
 ECAD 528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1104 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK100S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 सना ± 20 वी 5490 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392, एलएफ 0.3600
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS392 schottky एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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