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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1708 100MW तमाम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage Gt50j341, q 3.5900
सराय
 ECAD 3865 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 200 सेम से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2.2V @ 15V, 50 ए - -
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LF 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1315 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K302 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3 ए (टीए) 1.8V, 4V 71MOHM @ 2A, 4V - ४.३ सना ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887 (एफ) -
सराय
 ECAD 2770 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1887 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 50 50 वी 10 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 250MA, 5 ए 120 @ 1 ए, 1 वी 45MHz
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (एफ) -
सराय
 ECAD 7516 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SK2719 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 3 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 750 पीएफ @ 25 वी - 125W (टीसी)
TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB, S1F (s -
सराय
 ECAD 1932 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS20N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TRS20N65FBS1F (s Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए (डीसी) 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1307 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110ACT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1110 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 47
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS404 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 300 एमए 50 µa @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 300ma 46pf @ 0v, 1MHz
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K336R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K336 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3 ए (टीए) 4.5V, 10V 95MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a 1.7 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 126 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 8561 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8207 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 6 ए 20mohm @ 4.8a, 4v 1.2V @ 200 @ 22nc @ 5v 2010pf @ 10v सराय -स
TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1, S1X 1.5900
सराय
 ECAD 1876 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK34E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 75 ए (टीसी) 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 4V @ 500µA 38 सना ± 20 वी 2600 पीएफ @ 50 वी - 103W (टीसी)
SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU, LXHF 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 42.7MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A, S1X (s -
सराय
 ECAD 5024 0.00000000 तमाम यू-यू नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK50E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 50 ए (टीसी) 8.5mohm @ 25a, 10v - ५४ सना - -
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 8231 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SB1457 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 50MHz
2SC2235-Y(DNSO,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (DNSO, AF) -
सराय
 ECAD 8875 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LF 0.6600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K819 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 25.8MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 8.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
GT15J341,S4X Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341, S4X 1.8100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu तमाम ३. To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 300V, 15A, 33OHM, 15V 80 एनएस - 600 वी 15 ए 60 2V @ 15V, 15A 300 JO (CANAN), 300) J (बंद) 60NS/170NS
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
सराय
 ECAD 5859 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK2034 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -70 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 2.5V 12ohm @ 10ma, 2.5v - 10V 8.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL, L1Q 0.8900
सराय
 ECAD 63 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN1R603 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 80 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.6MOHM @ 40A, 10V 2.1V @ 300µA ४१ सदा ± 20 वी 3900 पीएफ @ 15 वी - 104W (टीसी)
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 1623 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3K106 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.2 ए (टीए) 4V, 10V 310mohm @ 600ma, 10v 2.3V @ 100 @a ± 20 वी 36 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L (T6L1, NQ 2.2100
सराय
 ECAD 3396 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 11.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA १५६ सना +10V, -20V 7760 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ 2.0900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPH1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
1SV305,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305, H3F -
सराय
 ECAD 5855 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV305 ईएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 6.6pf @ 4v, 1MHz कसना 10 वी 3 सी 1/सी 4 -
TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5, RQ 1.5362
सराय
 ECAD 7882 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK14G65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LF 0.5300
सराय
 ECAD 2581 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L820 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V, 45MOHM @ 3.5A, 10V 1V @ 1MA, 1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V -
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (सीटी ((((() 0.2400
सराय
 ECAD 259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1303 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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