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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q 3.6600
सराय
 ECAD 139 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS8A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 28PF @ 650V, 1MHz
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1703 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L39 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma 143MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O (Q) -
सराय
 ECAD 3255 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC3074 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 150ma, 3 ए 70 @ 1 ए, 1 वी 120MHz
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC, L1XHQ 1.4700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN3R804 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 सना ± 20 वी 2230 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 100W (TC)
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5, RVQ 1.3300
सराय
 ECAD 1789 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 4.5 ए (टीए () 10V 990MOHM @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 vapak ± 30V 370 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
सराय
 ECAD 219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2505 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL, S4X 1.0900
सराय
 ECAD 328 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 36 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 36W (टीसी)
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y, RQ 1.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK560P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LF 0.3000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2309 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
2SC2712-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
सराय
 ECAD 5355 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4793, nseikif (j) -
सराय
 ECAD 8903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5db @ 100mHz
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE, LM 0.3300
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.1ohm @ 500mA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25v सराय -स
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X, S1F 11.2600
सराय
 ECAD 108 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK62N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761, T6F (J (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 8513 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1761 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 3 ए 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 75ma, 1.5a 120 @ 100ma, 2v 100MHz
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X, S1F 12.4300
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK31Z60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL (TE85L, एफ 0.7500
सराय
 ECAD 72 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 2SK3320 200 सभा यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 6 सना हुआ @ 10 वी २०० @ @ १०
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2311 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y, T2PASF (M) -
सराय
 ECAD 5810 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3669 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0.1485
सराय
 ECAD 6796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1C03 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0.3533
सराय
 ECAD 4019 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN14006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 13 ए (टीए) 6.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 200 @ 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1300 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, HOF (एम) -
सराय
 ECAD 8164 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1315 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H (TE85L, F -
सराय
 ECAD 2162 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8005 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1, LQ 1.5400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 92 ए (टीसी) 10V 4.5MOHM @ 46A, 10V 4V @ 1MA 58 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 50 वी - 800MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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