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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 9555 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2104 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V 47 47
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W, S5X 1.6700
सराय
 ECAD 2976 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 6.8 ए (टीए टीए) 10V 780MOHM @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 1.2V, 4V 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 12.2 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L09 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 400ma, 200ma 700MOHM @ 200mA, 10V 1.8V @ 100 @a - 20pf @ 5v सराय -स
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3566 (STA4, Q, M) 1.6700
सराय
 ECAD 955 0.00000000 तमाम π-Mosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3566 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीए) 10V 6.4OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 470 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1, NQ 1.4000
सराय
 ECAD 6560 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA 125 सना +10V, -20V 6510 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 7420 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम एम-फ तंग Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 150 ° C 2 ए -
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A (TE85L, QM 0.5000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS20I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 एमवी @ 2 ए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 35pf @ 10v, 1MHz
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, SQC, Q) -
सराय
 ECAD 9458 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma (TA) 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V -
TK290A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A60Y, S4X 1.7600
सराय
 ECAD 4892 0.00000000 तमाम DTMOSV नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK290A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीसी) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 730 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH, L1Q 1.6400
सराय
 ECAD 5756 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH8R008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 34 ए (टीसी) 10V 8MOHM @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35 सना ± 20 वी 3000 पीएफ @ 40 वी - 1.6W (TA), 61W (टीसी)
2SK3868(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3868 -
सराय
 ECAD 4652 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3868 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.7OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 550 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LF 0.2000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S, LF (डी (() -
सराय
 ECAD 5653 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) RN1406SLF (डी) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL, L1Q 3.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया TPW1R306 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 260 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.29MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 8100 पीएफ @ 30 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 (TPF2, Q, M) -
सराय
 ECAD 6660 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6040 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 800 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 800ma 60 @ 100ma, 5v -
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6271 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH05A तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.8 वी @ 1 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
2SA1020A,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020A, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 2572 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TKR74F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TKR74F04PB, LXGQ 4.5400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TKR74F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 250 ए (टीए) 6v, 10v 0.74MOHM @ 125A, 10V 3V @ 1MA 227 vapak @ 10 वी ± 20 वी 14200 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2C01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 60MHz
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL, L1Q 0.9100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN7R006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 54 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7MOHM @ 27A, 10V 2.5V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1875 पीएफ @ 30 वी - 630MW (TA), 75W (TC)
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV (TL3, T) -
सराय
 ECAD 5110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU, LF 0.6400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, MT3S113 900MW यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12.5db 5.3v 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 11.2ghz 1.45db @ 1GHz
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VQ -
सराय
 ECAD 8499 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK16J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7187 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3.2 ए (टीए) 2.5V, 4V 120MOHM @ 1.6A, 4V - ± 10V 152 पीएफ @ 10 वी - 1.25W (TA)
SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LXHF 0.7700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N813 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 3.5 ए (टीए) 112MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट, 4.5V पचुर
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H, S1Q 2.8900
सराय
 ECAD 340 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS10E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 10 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 10 ए 649pf @ 1V, 1MHz
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1709 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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