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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VE 5.0500
सराय
 ECAD 5490 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK16J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6N68 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 4 ए (टीए) 84MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट
RN1107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3F (CT (CT (CT) 0.1800
सराय
 ECAD 4060 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1107 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
2SK3670(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (एफ, एम) -
सराय
 ECAD 3769 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK3670 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 8893 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8018 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 30 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 1MA 34 सना ± 20 वी 2846 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 300MHz
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 8083 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry62 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 9.68% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Cry62 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.2 वी 60 ओम
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK58A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 35W (टीसी)
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y (T6nd3, AF -
सराय
 ECAD 8423 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402TE85LF 0.3800
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -82 1SS402 schottky तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 20 वी 50mA 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SA2195 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1.7 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5, S1VF 8.1100
सराय
 ECAD 874 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK39N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 74MOHM @ 19.4A, 10V 4.5V @ 1.9ma 135 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A (T6SEP, F, M -
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 120 वी 2 ए - एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी -
2SA1013-O,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O, T6MIBF (J) -
सराय
 ECAD 1634 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1013 900 तंग टू -92 एल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 50MHz
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1109 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
2SA1020-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (हिट, एम, एम) -
सराय
 ECAD 3530 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 9555 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2104 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V 47 47
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W, S5X 1.6700
सराय
 ECAD 2976 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 6.8 ए (टीए टीए) 10V 780MOHM @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 1.2V, 4V 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 12.2 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L09 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 400ma, 200ma 700MOHM @ 200mA, 10V 1.8V @ 100 @a - 20pf @ 5v सराय -स
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3566 (STA4, Q, M) 1.6700
सराय
 ECAD 955 0.00000000 तमाम π-Mosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3566 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीए) 10V 6.4OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 470 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1, NQ 1.4000
सराय
 ECAD 6560 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA 125 सना +10V, -20V 6510 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 7420 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम एम-फ तंग Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 150 ° C 2 ए -
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A (TE85L, QM 0.5000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS20I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 एमवी @ 2 ए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 35pf @ 10v, 1MHz
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, SQC, Q) -
सराय
 ECAD 9458 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma (TA) 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V -
TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A50D (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
 ECAD 48 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE, LF 0.4600
सराय
 ECAD 6467 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J212 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 40.7MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 14.1 gapak @ 4.5 वी ± 8V 970 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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