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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 7275 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1430 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2102 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, D 3.6200
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT40QR21 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT40QR21 (STA1ED Ear99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 एनएस - 1200 वी 40 ए 80 ए 2.7V @ 15V, 40a -, 290) जे (बंद) -
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z, RQ 6.3200
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 38 ए (टीए) 10V 65MOHM @ 19A, 10V 4V @ 1.69ma 62 सना ± 30V 3650 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN1109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV, L3F -
सराय
 ECAD 2875 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1109 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (सीटी ((() 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2113 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1316 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB, S1E 2.5800
सराय
 ECAD 74 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT30J65 तमाम 200 सेम से 3 पी (एन) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 400V, 15A, 56OHM, 15V 200 एनएस - 650 वी 60 1.8V @ 15V, 30A 1.4MJ (ON), 220) J (OFF) 70 एनसी 75NS/400NS
CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I30A (TE12L, QM 0.5800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS20 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 2 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 82pf @ 10v, 1MHz
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1103 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR, LF 0.1800
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N961L, योगिनी 0.8700
सराय
 ECAD 9155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 10-XFLGA, CSP मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 880MW (TA) TCSPAG-341501 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 10,000 २- चैनल-चैनल 30V 9 ए (टीए) 2.3V @ 250µA 17.3nc @ 10v - -
TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB, L1XHQ 2.2600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPW1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG07 (TE85L, Q, M) 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG07 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
TPCA8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 3579 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 16 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 8a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 25W (टीसी)
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 (TE12L, Q, M) 0.7800
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS04 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 5 ए 8 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 5 ए 330pf @ 10v, 1MHz
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 150ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40, L3F 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CBS10S40 schottky Cst2b तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 150 µA @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 120pf @ 0v, 1MHz
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132, LQ (s 0.9600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8132 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4.5V, 10V 25MOHM @ 3.5A, 10V 2V @ 200 @ 34 सना +20V, -25V 1580 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1, S4X 2.0900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK56A12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीसी) 10V 7.5MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 45W (टीसी)
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3403 -
सराय
 ECAD 1637 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3, लघु टैब 2SK3403 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fl तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 13 ए (टीए) 10V 400MOHM @ 6A, 10V 5V @ 1MA 34 सना ± 30V 1600 पीएफ @ 25 वी - 100W (टीसी)
2SC4793,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, TOA1F (J (J) -
सराय
 ECAD 2036 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
CRZ11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ11 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ11 700 सभा एस-फ तंग रोहस अफ़मार CRZ11 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 11 वी 30 ओम
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0.3100
सराय
 ECAD 1202 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1711 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2106 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 8OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 11 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk3a60da (कmus, एम) 1.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 2.5 ए (टीए) 10V 2.8OHM @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LF 0.1800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LF -
सराय
 ECAD 3239 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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