SIC
close

अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R, LF 0.4700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K347 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 38 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 340MOHM @ 1A, 10V 2.4V @ 1MA 2.5 सना ± 20 वी 86 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1119 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 1 कांप
HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R, LF 0.7200
सराय
 ECAD 5425 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K809 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 47
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH, LQ 0.9600
सराय
 ECAD 3455 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN22006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 9 ए (टीए) 6.5V, 10V 22mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 100 @a 12 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 710 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 18W (TC)
DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC (TPL3) -
सराय
 ECAD 1993 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) DSR01S30 schottky एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 620 एमवी @ 100 एमए 700 µA @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 8.2pf @ 0v, 1MHz
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5086-y, lf -
सराय
 ECAD 9674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12v 80MA एनपीएन 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143Z, LM 0.1800
सराय
 ECAD 7848 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA143 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7
TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110P10PL, RQ 0.9600
सराय
 ECAD 8728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK110P10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 75W (टीसी)
SSM6K804R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K804R, LF 0.7000
सराय
 ECAD 7187 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K804 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 12 ए (टीए) 4.5V, 10V 12MOHM @ 4A, 10V 2.4V @ 100 @a 7.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 20 वी - 1.5W (TA)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 1.6 ए (टीए) 122MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA 5.1nc @ 10v 180pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0.2000
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग To-236 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB, LXHQ 1.9500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK1R4S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.9MOHM @ 60A, 6V 3V @ 500 @ 103 सनाह ± 20 वी 5500 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LXHF 0.7700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N813 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 3.5 ए (टीए) 112MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट, 4.5V पचुर
CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S60, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 670 mV @ 1.5 ए 450 @a @ 60 V 150 ° C 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
TRS6A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6A65F, S1Q 2.7600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS6A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 22pf @ 650V, 1MHz
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3313 -
सराय
 ECAD 1994 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3313 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 620MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 40W (टीसी)
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W, RVQ 1.1354
सराय
 ECAD 8551 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK8P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 8 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 4A, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 सना ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
2SA1312GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF 0.0618
सराय
 ECAD 5284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SA2154 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a - 9.1pf @ 3V -
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D, S1F -
सराय
 ECAD 9963 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS20N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए (डीसी) 1.7 वी @ 10 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2305 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W, LVQ 1.5822
सराय
 ECAD 7838 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK16V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z, S1X 4.3100
सराय
 ECAD 129 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D (STA4, Q, M) 1.6200
सराय
 ECAD 1402 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK5A65D (STA4QM) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 5 ए (टीए) 10V 1.43OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL, LQ 0.8000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH11003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 32 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 660 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 21W (टीसी)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 8893 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8018 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 30 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 1MA 34 सना ± 20 वी 2846 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें