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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव रत्य अय्यरस Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 56 ए (टीसी) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 300µA 36 सना ± 20 वी 2380 पीएफ @ 30 वी - 36W (टीसी)
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 (TE85L, F) 0.3800
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1602 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE, LXHF (सीटी सीटी 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457, T6yMef (एम) -
सराय
 ECAD 5204 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SB1457 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 50MHz
RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2315TE85LF 0.3000
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2315 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
2SA1013-O,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O, T6MIBF (J) -
सराय
 ECAD 1634 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1013 900 तंग टू -92 एल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 50MHz
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6OMI, FM -
सराय
 ECAD 4882 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D, RQ (s 1.1700
सराय
 ECAD 6966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK3P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 3 ए (टीए) 10V 3OHM @ 1.5A, 10V 4.4V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 30V 280 पीएफ @ 25 वी - 60W (टीसी)
TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VE 5.0500
सराय
 ECAD 5490 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK16J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4VX 2.9700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, ONKQ (J (J) -
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2510 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LF 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1315 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 1833 0.00000000 तमाम DTMOSII नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 650 वी 13 ए (टीए) 10V 380MOHM @ 6.5A, 10V 5V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 950 पीएफ @ 10 वी - 40W (टीसी)
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT, L3F 0.2500
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1316 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage GT50N322A 4.7800
सराय
 ECAD 76 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम १५६ कनम से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50N322A Ear99 8541.29.0095 50 - 800 एनएस - 1000 वी 50 ए 120 ए 2.8V @ 15V, 60a - -
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2105 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887 (एफ) -
सराय
 ECAD 2770 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1887 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 50 50 वी 10 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 250MA, 5 ए 120 @ 1 ए, 1 वी 45MHz
TK12V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W, LVQ 1.1283
सराय
 ECAD 3905 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK12V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 104W (टीसी)
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 8145 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 11MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200 @ २ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 1920 पीएफ @ 10 वी - 47W (टीसी)
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 (TPF2, Q, M) -
सराय
 ECAD 6660 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6040 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 800 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 800ma 60 @ 100ma, 5v -
RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2109 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y, LF 0.3300
सराय
 ECAD 1298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1A01 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SK2962,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 4731 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TPCF8201(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8201 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 6558 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8201 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 330MW वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 3 ए 49MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 7.5NC @ 5V 590pf @ 10v सराय -स
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF (डी (() -
सराय
 ECAD 5535 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, निककीक (निककीक () -
सराय
 ECAD 2832 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2257 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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