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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3188 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK30S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 30 ए (टीए) 6v, 10v 18ohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS -
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 7275 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1430 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
1SS315TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315TPH3F 0.0600
सराय
 ECAD 6355 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SS315 यूएससी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 ३० सना हुआ 0.6pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - एकल 5V -
RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6P69 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1W (TA) 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 4 ए (टीए) 45MOHM @ 3.5A, 10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1313 100 तंग कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 47
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 3491 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK20S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 29MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 18 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 780 पीएफ @ 10 वी - 38W (टीसी)
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU, LF 0.3600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma (TA) 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 8.5pf @ 3V -
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708, LF 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1708 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1, LXHQ 1.6800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK55S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीए) 10V 6.5MOHM @ 27.5A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3280 पीएफ @ 10 वी - 157W (टीसी)
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1901 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LXHQ 0.9700
सराय
 ECAD 1392 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK11S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 850 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC, L1XHQ 1.2300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN12006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 20 ए 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी 65W (टीसी)
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E, S4X 1.2300
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK3A90ES4X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीए) 10V 4.6OHM @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 650 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0.6800
सराय
 ECAD 3445 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN19008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 34 ए (टीसी) 6v, 10v 19MOHM @ 17A, 10V 3.5V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 40 वी - 630MW (TA), 57W (TC)
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
सराय
 ECAD 21 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SJ305 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 200ma (TA) 2.5V 4ohm @ 50ma, 2.5v - ± 20 वी 92 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL, S1X 1.4400
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R1E04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 4670 पीएफ @ 20 वी - 87W (टीसी)
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LXHF 0.7700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J808 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 35MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 100 @a २४.२ सदा +10V, -20V 1020 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA (STA4, Q, M 2.7100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12.5 ए (टीए) 10V 470MOHM @ 6.3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1550 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS, LF 0.2800
सराय
 ECAD 107 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD, L1Q 1.4900
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1R712 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 20 वी 60 ए (टीसी) 2.5V, 4.5V 1.7MOHM @ 30A, 4.5V 1.2V @ 1MA 182 सना ± 12V 10900 पीएफ @ 10 वी - 78W (टीसी)
RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1905 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 180ma, 100ma 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 68 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 15A, 4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 36W (टीसी)
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM, S1X 1.4500
सराय
 ECAD 172 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 64 ए (टीसी) 6v, 10v 7MOHM @ 32A, 10V 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 87W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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