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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 222 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1302 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 9319 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L, LQ 2.2100
सराय
 ECAD 6460 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TJ90S04M3L, LQCT Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 90 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 45A, 10V 2V @ 1ma 172 सना +10V, -20V 7700 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2305 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901, LF (सीटी ((() 0.2600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 1kohms
TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1, LXHQ 1.6800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK55S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीए) 10V 6.5MOHM @ 27.5A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3280 पीएफ @ 10 वी - 157W (टीसी)
TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L, LXHQ 1.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ50S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 50 ए (टीए) 6v, 10v 13.8MOHM @ 25A, 10V 3V @ 1MA 124 सना +10V, -20V 6290 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E, S4X 1.2300
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK3A90ES4X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीए) 10V 4.6OHM @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 650 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LXHF 0.7700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J808 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 35MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 100 @a २४.२ सदा +10V, -20V 1020 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LXHQ 0.9700
सराय
 ECAD 1392 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK11S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 850 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL, S1X 1.4400
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R1E04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 4670 पीएफ @ 20 वी - 87W (टीसी)
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1901 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC, L1XHQ 1.2300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN12006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 20 ए 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी 65W (टीसी)
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB, L1XHQ 2.3200
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 70A 6v, 10v 4.1MOHM @ 35A, 10V 3.5V @ 1MA 75 सभा @ 10 वी ± 20 वी 4970 पीएफ @ 10 वी तमाम 170W (टीसी)
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA (STA4, Q, M 2.7100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12.5 ए (टीए) 10V 470MOHM @ 6.3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1550 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 9359 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0.6800
सराय
 ECAD 3445 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN19008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 34 ए (टीसी) 6v, 10v 19MOHM @ 17A, 10V 3.5V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 40 वी - 630MW (TA), 57W (TC)
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 8525 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR, LF 0.3200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 1.6 ए (टीए टीए), 1.4 ए (टीए) 122MOHM @ 1A, 10V, 226MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA, 2V @ 1MA 5.1nc @ 10v, 2.9nc @ 10v 180pf @ 15v, 120pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
सराय
 ECAD 104 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J118 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 650mA, 10V - ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1702 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 (TE85L, F) 0.6300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700MW एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 6V 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 11.5GHz 1.2db @ 1GHz
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 47KOHMS 22kohms
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300, एलएफ 0.2200
सराय
 ECAD 127 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS300 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3791 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V २५० तंग 47
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
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