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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 1620 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8mohm @ 11a, 10v 2.3V @ 200 @ 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2200 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40, L3F 0.4800
सराय
 ECAD 93 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) CLS10F40 schottky सीएल 2 ई - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 570 mV @ 1 ए 25 µa @ 40 V 150 ° C 1 क 130pf @ 0v, 1MHz
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL, L1Q 1.1500
सराय
 ECAD 7068 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R30 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 66 ए (टीए टीए), 45 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10v 2.5V @ 500µA ५५ सना ± 20 वी 4300 पीएफ @ 50 वी - 2.5W (टीए), 54W (टीसी)
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 7612 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8111 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 11 ए (टीए) 4V, 10V 12mohm @ 5.5a, 10v 2V @ 1ma 107 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5710 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H, LQ 2.7700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 ° C 8 ए 520pf @ 1V, 1MHz
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6291 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8067 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 690 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 15W (टीसी)
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 3679 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ47TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1909 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL, LQ 0.8300
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH9R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 34 ए (टीसी) 4.5V, 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 2.5V @ 200 @ 21 सना ± 20 वी 1910 पीएफ @ 30 वी - 830MW (TA), 81W (TC)
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH, L1Q 1.0200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 26 ए (टीसी) 6.5V, 10V 7.5mohm @ 13a, 10v 4V @ 200 @ २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1800 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
सराय
 ECAD 1987 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 2V, 4.5V 49MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 7.5 सराय @ 5 वी ± 12V 590 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B, Q 0.6600
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 1.5 डब से -126N तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 250 80 वी 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 2V 150MHz
SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LXHF 0.5800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L820 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V, 45MOHM @ 3.5A, 10V 1V @ 1MA, 1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V -
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
सराय
 ECAD 3287 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK39J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 65MOHM @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9ma 135 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2426 (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2426 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय 1 कांप 10 कांपो
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 7254 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK6A60DSTA4QM Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 6 ए (टीए) 10V 1.25OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5, S4VX 2.9700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 1.5MA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B, LF 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K404 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4V 55MOHM @ 2A, 4V 1V @ 1MA ५. ९ सराय @ ४ वी ± 10V 400 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL, LQ 0.7800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R803 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 48 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.8MOHM @ 24A, 10V 2.1V @ 200 @a २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1975 पीएफ @ 15 वी - 830MW (TA), 69W (TC)
TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F, S4X (s -
सराय
 ECAD 9742 0.00000000 तमाम यू-मोसिक थोक शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीए) 10V 370MOHM @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04MA ५५ सना ± 30V 2200 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TPCP8011,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8011, LF 1.0900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीएस -8 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 5 ए (टीए) 6v, 10v 51.2MOHM @ 2.5A, 10V 3V @ 1MA 11.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 505 पीएफ @ 10 वी - 940MW (TA)
TK28E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W, S1X 5.8100
सराय
 ECAD 6456 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W, S4X 2.8900
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 6.5 ए (टीए) 10V 950MOHM @ 3.3A, 10V 4V @ 280µA 13 सराय @ 10 वी ± 20 वी 700 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z, S1X 5.1200
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008QM, LQ 1.5600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 86 ए (टीसी) 6v, 10v 4MOHM @ 43A, 10V 3.5V @ 600µA 57 सना ± 20 वी 5300 पीएफ @ 40 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K301T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K301 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 3.5 ए (टीए) 1.8V, 4V 56MOHM @ 2A, 4V - 4.8 ranah @ 4 वी ± 12V 320 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R, LF 0.5200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L807 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.74NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V तमाम
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