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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS, LF 0.2800
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 8.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967 (एफ) -
सराय
 ECAD 8942 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SK2967 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 30 ए (टीए) 10V 68MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 1MA 132 सना ± 20 वी 5400 पीएफ @ 10 वी - 150W (टीसी)
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W, S5X 2.7800
सराय
 ECAD 9378 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18.5 ए (टीए () 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C, S1F 19.8400
सराय
 ECAD 4984 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 36 ए (टीसी) 18V 78MOHM @ 18A, 18V 5V @ 4.2MA ४६ सना +25v, -10v 1530 पीएफ @ 800 वी - 170W (टीसी)
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2103 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
CLH02(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16R, Q) -
सराय
 ECAD 2543 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH02 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
TK5A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A80E, S4X 1.4300
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 5 ए (टीए) 10V 2.4OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 950 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc6135, एलएफ 0.4700
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6135 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 6MA, 300mA 400 @ 100ma, 2v -
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2105 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A (TE85L, F 0.4400
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y, t6ashf (j) -
सराय
 ECAD 1248 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (CHANT) -
सराय
 ECAD 9064 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK55D10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 27a, 10v 2.3V @ 1MA 110 सना ± 20 वी 5700 पीएफ @ 10 वी - 140W (टीसी)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2250 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK35S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए) 6v, 10v 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2896 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D, S1F -
सराय
 ECAD 3712 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Trs24n schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 12 ए (डीसी) 1.7 वी @ 12 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR (TE85L, F) 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK879 100 तंग कांपना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v २.६ सना 400 एमवी @ 100 सवार
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3213 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2602 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1707 100MW तमाम तंग 1 (असीमित) 264-RN1707JE (TE85LF) TR Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
TRS24N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB, S1F (s -
सराय
 ECAD 9125 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS24N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Trs24n65fbs1f (s Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 12 ए (डीसी) 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 1889 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ10 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ10TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 10 वी 30 ओम
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LF 0.4200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N62 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma (TA) 85MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O (TE85L, F) 0.0592
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
CUS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS03 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 8668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS03 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS03 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 एमवी @ 700 एमए 100 µa @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 700ma 45pf @ 10v, 1MHz
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a - 42pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 470 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1318 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
सराय
 ECAD 600 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V -
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AD9208BBPZ-3000

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