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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
CMS09(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L) -
सराय
 ECAD 5132 0.00000000 तमाम - डिजी rayीएल® शिर सतह rurcur सोद -128 CMS09 schottky एम-फ तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
सराय
 ECAD 4597 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2413 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
TK110Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110Z65Z, S1F 6.4000
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC, L1XHQ 2.2500
सराय
 ECAD 2968 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPH3R114 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.1MOHM @ 50A, 10V 2.1V @ 1MA 230 सना +10V, -20V 9500 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 9265 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ10 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 10 वी 30 ओम
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 4319 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
सराय
 ECAD 6715 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 264-SSM3K121TU Ear99 8541.21.0095 1 n- चैनल 20 वी 3.2 ए (टीए) 1.5V, 4V 48MOHM @ 2A, 4V 1V @ 1MA ५. ९ सराय @ ४ वी ± 10V 400 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8052 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 2110 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J401 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2.5 ए (टीए) 4V, 10V 73MOHM @ 2A, 10V 2.6V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2303 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LF 0.3800
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J378 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A (TE85L, F 0.4400
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y, t6ashf (j) -
सराय
 ECAD 1248 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D, S1F -
सराय
 ECAD 3712 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Trs24n schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 12 ए (डीसी) 1.7 वी @ 12 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR (TE85L, F) 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK879 100 तंग कांपना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v २.६ सना 400 एमवी @ 100 सवार
CMG05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG05 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3727 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMG05 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMG05 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5604 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8401 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1 तंग PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी, 12 वी 100ma, 5.5a 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 9.3pf @ 3V सराय -स
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3213 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2602 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK35S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए) 6v, 10v 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2896 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
CUS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS03 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 8668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS03 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS03 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 एमवी @ 700 एमए 100 µa @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 700ma 45pf @ 10v, 1MHz
TK1K0A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K0A60F, S4X 1.1100
सराय
 ECAD 68 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K0A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7.5 ए (टीए) 10V 1OHM @ 3.8A, 10V 4V @ 770µA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272TE85LF 0.4900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA 1SS272 तमाम एससी -61 बी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, YHF (j -
सराय
 ECAD 3098 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S08SC (TPL3) 0.4800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ०२०१ (०६०३ सटरी) JDP2S08 एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 ५० सदा 0.4pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
TRS10A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10A65F, S1Q 4.5900
सराय
 ECAD 4279 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS10A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 36PF @ 650V, 1MHz
TK650A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK650A60F, S4X 1.3400
सराय
 ECAD 48 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK650A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीए) 10V 650mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1.16MA 34 सना ± 30V 1320 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L (T6L1, NQ 1.9400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ50S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 50 ए (टीए) 6v, 10v 13.8MOHM @ 25A, 10V 3V @ 1MA 124 सना +10V, -20V 6290 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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