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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R, LF 0.5100
सराय
 ECAD 128 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.2W (TA)
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 (TE85L, F) 0.1275
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 ६२५ सदाचार टीएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705, LF 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2705 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 50mA, 500mA 120 @ 100ma, 1v 100MHz
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026 (TE12L, Q, M 1.8800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8026 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 23A, 10V 2.5V @ 1MA 113 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
CRZ22(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ22 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 5653 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ22 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ22TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 16 वी 22 वी 30 ओम
TK56E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1, S1X 1.6800
सराय
 ECAD 7085 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK56E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीए) 10V 7MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 168W (टीसी)
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J424 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 22.5MOHM @ 6A, 4.5V 1V @ 1MA २३.१ सना हुआ @ ४.५ वी +6v, -8v 1650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309 (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 385 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 1SS309 तमाम एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 4 आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H, LQ 1.8500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.34 वी @ 4 ए 0 एनएस 55 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 263pf @ 1V, 1MHz
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-GR, LF 0.3100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 50mA, 500mA 180 @ 100ma, 1v 100MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120, LQ (cm -
सराय
 ECAD 9207 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 3mohm @ 22.5a, 10v 2V @ 1ma 190 सारा @ 10 वी +20V, -25V 7420 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS06 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6944 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS06 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS06 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 700 एमए 30 µA @ 20 वी -40 ° C ~ 150 ° C 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC144E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC144 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 77 @ 5MA, 5V २५० तंग 47
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ 1.5800
सराय
 ECAD 1308 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK60S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 4320 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LF 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ15 (TE85L, Q, M) 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ15 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 10 V 15 वी 30 ओम
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 (TE24R, Q) -
सराय
 ECAD 2638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2266 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 60 वी 45 ए (टीए) 4V, 10V 30mohm @ 25a, 10v 2V @ 1ma 60 सना ± 20 वी 1800 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
सराय
 ECAD 5685 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय 5.6
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 2388 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 4319 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J401 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2.5 ए (टीए) 4V, 10V 73MOHM @ 2A, 10V 2.6V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2303 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LF 0.3800
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J378 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8052 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 2110 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0.9600
सराय
 ECAD 3131 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK15S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 610 पीएफ @ 10 वी - 46W (टीसी)
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
सराय
 ECAD 6715 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 264-SSM3K121TU Ear99 8541.21.0095 1 n- चैनल 20 वी 3.2 ए (टीए) 1.5V, 4V 48MOHM @ 2A, 4V 1V @ 1MA ५. ९ सराय @ ४ वी ± 10V 400 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
TK110N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z, S1F 5.8800
सराय
 ECAD 6715 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
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