SIC
close

अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4336 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) GT10G131 तमाम 1 डब 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 वी 200 ए 2.3V @ 4V, 200A - 3.1/एस/2 संकेत
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3565 (किलो, एम) -
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 तमाम π-Mosiv थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3565 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 5 ए (टीए) 10V 2.5OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1150 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL, S1X 2.3700
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R9E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.9MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 96 सना ± 20 वी 6320 पीएफ @ 50 वी - 230W (टीसी)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 829 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K517 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 39.1MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA ३.२ सदा +12v, -8v 310 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 (TE85L, F) 0.1275
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 ६२५ सदाचार टीएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4908 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47KOHMS
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W, S1Q -
सराय
 ECAD 2199 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK14C65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6115 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G, LF 0.6700
सराय
 ECAD 4667 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 8.5V 31MOHM @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1MA ९। ± 12V 870 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H, LQ 2.3200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 6 ए 0 एनएस 70 @a @ 650 V 175 ° C 6 ए 392pf @ 1V, 1MHz
1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413, L3M 0.2700
सराय
 ECAD 101 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड 1SS413 schottky फंसी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H, LQ (M) -
सराय
 ECAD 1274 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8057 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 42 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 21A, 10V 2.3V @ 500µA 61 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 57W (टीसी)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1, S1X 1.3700
सराय
 ECAD 5104 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK42E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK42E12N1S1X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 88 ए (टीसी) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA ५२ सना ± 20 वी 3100 पीएफ @ 60 वी - 140W (टीसी)
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LQ 1.0300
सराय
 ECAD 5833 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Rn49a1 200MW US6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47KOHMS
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1115 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 47 47
TK190E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z, S1X 2.7800
सराय
 ECAD 156 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 15 ए (टीए) 10V 190mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1370 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1117 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2606 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 1257 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2130 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V 100 कांप 100 कांप
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K406 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4.4 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 1MA 12.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 490 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A (TE12L, QM 0.5800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS10 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 450 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 62pf @ 10v, 1MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 107 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS387 तमाम ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 0.5pf @ 0v, 1MHz
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LF 0.4200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N62 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma (TA) 85MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2250 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O (TE85L, F) 0.0592
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (CHANT) -
सराय
 ECAD 9064 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK55D10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 27a, 10v 2.3V @ 1MA 110 सना ± 20 वी 5700 पीएफ @ 10 वी - 140W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें