SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT (TPL3) -
सराय
ECAD 9368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2112 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V २२ सिपाही
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1311 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A (TE85L, F) 0.0742
सराय
ECAD 4305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4213 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30A 200 @ 4MA, 2V 30MHz
CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry82 (TE85L, Q, M) -
सराय
ECAD 3176 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry82 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4.9 V 8.2 वी 30 ओम
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1508 (TE85L, F) 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1508 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4610 (TE85L, F) 0.4700
सराय
ECAD 80 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4610 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE (TE85L, F) 0.4200
सराय
ECAD 22 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P41 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 720ma 300MOHM @ 400mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10v सराय -स
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
सराय
ECAD 5246 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF 0.5600
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -59-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 200ma (TA) 2.5V 2OHM @ 50mA, 2.5V 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 70 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2427TE85LF 0.4200
सराय
ECAD 4924 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2427 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
2SC2235-O(T6ASN,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6ASN, FM -
सराय
ECAD 2868 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z (T6L1, NQ -
सराय
ECAD 6132 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीए) 10V 18MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 61 सना ± 20 वी 3110 पीएफ @ 10 वी - 93W (टीसी)
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y, LXHF 0.3700
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 300MV @ 10MA, 100mA / 250MV @ 10MA, 100MA 120 @ 2ma, 6v 120MHz, 150MHz
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416CT, L3F 0.3000
सराय
ECAD 69 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 1SS416 schottky Cst2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 15pf @ 0v, 1MHz
2SC4915-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-O, LF 0.5000
सराय
ECAD 9220 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC4915 100MW एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 17db ~ 23db 30V 20ma एनपीएन 70 @ 1MA, 6V 550MHz 2.3db ~ 5db @ 100mHz
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE, LF 0.4000
सराय
ECAD 43 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 250MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J (J) -
सराय
ECAD 2103 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SA1020 -T6NSF (J (J) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y, RQ 1.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK560P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
2SC2655-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y (T6OMI, FM -
सराय
ECAD 9618 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 (T5L, F, T) -
सराय
ECAD 1237 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
2SC2229-O(MITIF,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MITIF, M) -
सराय
ECAD 1047 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SK4021(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4021 (किलो) -
सराय
ECAD 5729 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak 2SK4021 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडबmun-मोल २ २ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 200 n- चैनल 250 वी 4.5 ए (टीए () 10V 1OHM @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 440 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LF 0.1900
सराय
ECAD 3234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2993 (TE24L, Q) -
सराय
ECAD 9210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2993 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 250 वी 20 ए (टीए) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 4000 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0.4000
सराय
ECAD 205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R, LF 0.4500
सराय
ECAD 86 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K333 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 28MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.४ सदा ± 20 वी 436 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4902 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 10kohms
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TOJ, FM -
सराय
ECAD 9874 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1, LQ 1.7200
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.92MOHM @ 50A, 10V 2.1V @ 500µA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 7540 पीएफ @ 15 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम