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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 9782 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2117 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 1272 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v - ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV (TPL3) 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2119 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 1 कांप
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 166 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J130 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 25.8MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 ranak @ 4.5 वी ± 8V 1800 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672-O (T2ASH, FM -
सराय
 ECAD 7881 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3672 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 300 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 2MA, 20mA 30 @ 20MA, 10V 80MHz
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
सराय
 ECAD 4795 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK12P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15 (TE12L, Q, M) 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS15 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 300 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 102pf @ 10v, 1MHz
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y, LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1298 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 20MA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 120MHz
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y (T5L, F, T -
सराय
 ECAD 1894 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 150MHz
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE, LM 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1NC @ 4.5V 55pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
CMC02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMC02 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 9346 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMC02 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMC02 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1967 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z, S4X 4.7900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK090A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 4043 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ18 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 13 वी 18 वी 30 ओम
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X, S1X 5.6700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK31E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D, S1F -
सराय
 ECAD 6487 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS12N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 6 ए (डीसी) 1.7 वी @ 6 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40, H3F 0.3700
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS20 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 470 mV @ 2 ए 300 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 290pf @ 0v, 1MHz
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01F (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1D01 तमाम SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C (TE85L, QM 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS10I30 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 1 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 82pf @ 10v, 1MHz
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4213 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1911fete85lf -
सराय
 ECAD 8032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1911 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6CNO, एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 2426 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SB1457 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 50MHz
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 (TE12L) -
सराय
 ECAD 1186 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS04 schottky एम-फ तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 5 ए 8 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 5 ए -
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 (TE12L, Q, M) 0.7300
सराय
 ECAD 4215 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH01 तमाम एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 3 ए 100 एनएस 10 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ11 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 6761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ11 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ11TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 11 वी 30 ओम
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (किलो) -
सराय
 ECAD 1323 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK4016 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 13 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 62 सना ± 30V 3100 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
सराय
 ECAD 7428 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK155A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 18 ए (टीए) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730µA २ ९ सराय @ १० वी ± 30V 1635 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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