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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2311 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Bas316 तमाम यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 एनएस 200 सवार @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 0.35pf @ 0v, 1MHz
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (MBSH1, FM -
सराय
 ECAD 5908 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40, H3F 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05F40 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 810 एमवी @ 500 एमए 15 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 28pf @ 0v, 1MHz
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6CNO, एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 5381 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 7556 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, LF 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360, सीटी ((((((((() 0.2300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1SS360 तमाम एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0.0753
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V - 47KOHMS -
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK110E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 42 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 87W (टीसी)
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6086 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47KOHMS
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K341 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 2.5W (TA)
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5970 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K315 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 27.6MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 1MA 10.1 सभा @ 10 वी ± 20 वी 450 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA)
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, SQC, Q) -
सराय
 ECAD 2120 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS02 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 420pf @ 10v, 1MHz
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1242-y (कtun) -
सराय
 ECAD 3646 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1242 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 20 वी 5 ए 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 160 @ 500mA, 2V 170MHz
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1103 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1856 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311, LF 0.1800
सराय
 ECAD 7033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2311 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C, S1F 68.0400
सराय
 ECAD 2613 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 100 ए (टीसी) 18V 20mohm @ 50a, 18v 5V @ 11.7ma 158 सना +25v, -10v 6000 पीएफ @ 800 वी - 431W (टीसी)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL, L1Q 1.5500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1R403 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 60 ए (टीए) 4.5V, 10V 1.4MOHM @ 30A, 10V 2.3V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 4400 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (टीए), 64W (टीसी)
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 1MA, 5V ४.7 47
1SS302A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302A, LF 0.2200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS302 तमाम एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी -55 ° C ~ 150 ° C
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH, L1Q 1.6800
सराय
 ECAD 1291 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN1110 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 200 वी 7.2 ए (टीए () 10V 114MOHM @ 3.6A, 10V 4V @ 200 @ 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 100 वी - 700MW (TA), 39W (TC)
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2706 100MW तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W, S4VX 3.9800
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710, LF 0.3000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2710 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL, LQ 0.9900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 88 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 44A, 4.5V 2.1V @ 300µA ५० सदाबहार @ १० ± 20 वी 3825 पीएफ @ 15 वी - 90W (टीसी)
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8074 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1954 100 तंग एससी -70 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10MA, 200ma 300 @ 10MA, 2V 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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