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एकीकृत ruircut (ics) (5782)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS43LR32320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-6BLI-TR 8.1130
सराय
 ECAD 5343 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LR32320C-6BLI-TRE 2,500 १६६ सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
IS42S16800D-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETL-TR -
सराय
 ECAD 5198 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI-TRE 3.3915
सराय
 ECAD 8226 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS25WP032D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLE 1.2500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) Is25wp032 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 90 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS41C16105C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI-TR -
सराय
 ECAD 9114 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 42-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS41C16105 DRAM - FP 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS46LD32128C-18BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2 -
सराय
 ECAD 9933 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128C-18BPLA2 Ear99 8542.32.0036 1 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS42S32160F-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETL 12.0885
सराय
 ECAD 9555 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43DR16640B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL 6.1100
सराय
 ECAD 6098 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1275 Ear99 8542.32.0032 209 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV5128BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TI -
सराय
 ECAD 6645 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 156 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-2550M3L 23.2925
सराय
 ECAD 5990 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB21 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S81600D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-6TL -
सराय
 ECAD 9410 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S81600 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी -
IS61DDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3 -
सराय
 ECAD 9951 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB21 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS42S32160A-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BLI -
सराय
 ECAD 1001 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1062 Ear99 8542.32.0024 144 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS49NLS93200A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBL 30.4983
सराय
 ECAD 4570 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS93200A-18WBL 104 ५३३ सरायम सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 32 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS43R83200D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TLI-TR 5.5720
सराय
 ECAD 6282 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS42S32200L-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BLI-TR 4.1562
सराय
 ECAD 3963 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS42S32400F-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BI-TR -
सराय
 ECAD 1842 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS42SM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-6BLI -
सराय
 ECAD 8241 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32200 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS43DR82560C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI 17.1700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1572 Ear99 8542.32.0036 242 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS66WV51216BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55TLI -
सराय
 ECAD 5502 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS66WV51216 Psram (sram sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 8mbit 55 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL 3.6400
सराय
 ECAD 868 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1558 Ear99 8542.32.0028 242 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS61LF102418A-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5TQL-TR -
सराय
 ECAD 8978 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S32160B-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TLI -
सराय
 ECAD 5177 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 144 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS42S32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BLI -
सराय
 ECAD 4512 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43R16320F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI 5.8923
सराय
 ECAD 2955 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR81280C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280C-125JBLA25-TRE -
सराय
 ECAD 4470 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 115 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 2,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS43QR81024A-083TBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL-TR 16.0930
सराय
 ECAD 2841 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43QR81024A-083TBL-TR 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit 18 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS64LPS12832A-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832A-200TQLA3 13.3403
सराय
 ECAD 2987 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS64LPS12832 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 4Mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
IS62WV25616EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI 4.4684
सराय
 ECAD 9715 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS61LP6436A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQLI-TR 5.4170
सराय
 ECAD 1588 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LP6436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १३३ सराय सराय 2mbit 4 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
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