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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS42S16800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6B -
सराय
ECAD 7429 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43DR16320C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBI -
सराय
ECAD 5014 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 209 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61NLF51236-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5B3I-TR -
सराय
ECAD 9297 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS42VM16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BLI -
सराय
ECAD 9301 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV12816DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI -
सराय
ECAD 8645 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS
IS46TR81024BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024BL-125KBLA1 24.4586
सराय
ECAD 7407 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR81024BL-125KBLA1 136 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS42SM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-75BLI 5.6950
सराय
ECAD 8297 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16160 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32800J-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BI -
सराय
ECAD 3377 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS42S32800J-6BI शिर 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS43TR82560DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-125KBLI 4.9388
सराय
ECAD 7754 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR82560DL-125KBLI Ear99 8542.32.0036 242 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S32160B-75TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TLI-TR -
सराय
ECAD 4682 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS42VS16100C1-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TL-TR -
सराय
ECAD 6253 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS42VS16100 एक प्रकार का 1.7V ~ 1.9V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 16Mbit 7 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR85120AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-125KBLA2 -
सराय
ECAD 5367 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR85120AL-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS43TR16256A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBLI-TR -
सराय
ECAD 3798 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42S83200B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TLI-TR -
सराय
ECAD 8619 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS25LP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RILE-TR 10.3607
सराय
ECAD 7527 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-एलबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP01G-RILE-TRE 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit 8 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS43TR16128B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-11HBLI-TR -
सराय
ECAD 9278 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LQ512B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JNLE -
सराय
ECAD 6270 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LQ512 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1325 Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS46TR16640C-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA2-TRE 3.7412
सराय
ECAD 2384 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640C-125JBLA2-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16640BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-107MBLA1-TRA -
सराय
ECAD 4405 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640BL-107MBLA1-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 933 सरायम सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128A-3DBLI-TR -
सराय
ECAD 6618 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-LFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-LFBGA (10.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLS93200-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33WBLI -
सराय
ECAD 5486 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
IS43TR16256B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBLI-TR 7.7314
सराय
ECAD 7040 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16256B-125KBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS61LPS25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQI-TR -
सराय
ECAD 8430 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS42S16400J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BLI 2.0049
सराय
ECAD 2254 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32800D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBL-TR -
सराय
ECAD 8885 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS43LD32128B-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPLI 13.7189
सराय
ECAD 1887 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS43LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128B-25BPLI Ear99 8542.32.0036 168 ४०० सराय सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
IS61LPS25636A-200TQ2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2I -
सराय
ECAD 5708 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43TR16512S2DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-125KBLI 21.2437
सराय
ECAD 6935 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16512S2DL-125KBLI Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS64WV6416EEBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416EEBLL-10BLA3 3.9922
सराय
ECAD 2256 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3 480 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 10NS
IS25WP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLA3-TRE 1.1599
सराय
ECAD 1188 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP032D-JBLA3-TRE 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम