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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS41LV16100C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI-TR -
सराय
ECAD 1194 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 50-tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak), 44 लीड IS41LV16100 तंग - ईदो 2.97V ~ 3.63V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी 85NS
IS62WV51216EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45TLI 6.1500
सराय
ECAD 610 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 45NS
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR 4.4904
सराय
ECAD 3214 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR 2,500 100 सराय सराय 256Mbit 40 एनएस तड़प 32 सिया x 8 तपस्वी 40NS
IS42RM32160C-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160C-75BL-TR -
सराय
ECAD 1477 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42RM32160 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-WBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43TR85120BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBLI 11.2800
सराय
ECAD 400 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR85120BL-125KBLI Ear99 8542.32.0036 242 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS62WV1288FBLL-45QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45QLI-TR 1.8501
सराय
ECAD 4376 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) IS62WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 45NS
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7T -
सराय
ECAD 9247 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS66WV51216DBLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-55TLI-TR -
सराय
ECAD 4281 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS66WV51216 Psram (sram sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 55 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS43TR16512A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBL -
सराय
ECAD 9229 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 136 667 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS61LV12816L-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-8TL -
सराय
ECAD 5609 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV12816 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 8 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 8NS
IS61LV12816L-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TLI-TRE -
सराय
ECAD 9784 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV12816 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 10NS
IS45S16320F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA1-TR 12.6600
सराय
ECAD 6158 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32800J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TL 6.7500
सराय
ECAD 2 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR -
सराय
ECAD 1308 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Is66wve4m16 Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
IS61NLF51218B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218B-7.5TQLI 13.7940
सराय
ECAD 3407 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLF51218 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
IS45S16800F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA2-TR 5.7000
सराय
ECAD 7288 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32200C1-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TLI-TR -
सराय
ECAD 8474 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32200 एक प्रकार का 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TRE 7.5000
सराय
ECAD 5923 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS64WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS63WV1024BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI-TR 2.2334
सराय
ECAD 4291 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS63WV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 12NS
IS42S16100E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL -
सराय
ECAD 6566 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 117 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LPS25618A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200B2LI -
सराय
ECAD 3403 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61LPS25618 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
IS42S16400J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL 1.9200
सराय
ECAD 42 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR 23.8000
सराय
ECAD 8968 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS64WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
IS42S16320F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TL 12.8300
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S83200J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-6TL 3.1428
सराय
ECAD 9480 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS43DR81280B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL-TR 4.3541
सराय
ECAD 6496 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS45S16800F-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7TLA1-TR 3.9209
सराय
ECAD 7537 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LP6436A-133TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQ -
सराय
ECAD 3933 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LP6436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १३३ सराय सराय 2mbit 4 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
IS42S32400E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BLI-TR -
सराय
ECAD 2106 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS42S16800F-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BI -
सराय
ECAD 1524 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम