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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS46TR16640C-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA1 3.8222
सराय
ECAD 5486 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640C-125JBLA1 Ear99 8542.32.0032 190 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR85120A-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBL-TR -
सराय
ECAD 5302 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR85120A-093NBL-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS43TR16640C-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI-TR 3.2532
सराय
ECAD 3497 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16640C-125JBLI-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16640BL-125KBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA3 -
सराय
ECAD 6864 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640BL-125KBLA3 Ear99 8542.32.0032 190 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR16256B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBL-TR 5.5595
सराय
ECAD 4751 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16256B-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR -
सराय
ECAD 1220 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS43TR85120BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBL 6.4066
सराय
ECAD 7251 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR85120BL-125KBL Ear99 8542.32.0036 220 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS46TR16256AL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2-TR -
सराय
ECAD 2009 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16256AL-107MBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS43TR16128D-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBLI-TR 4.4629
सराय
ECAD 3351 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16128D-125KBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR81280BL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280BL-125JBLA2 -
सराय
ECAD 2694 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 Ear99 8542.32.0032 136 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS25LQ040B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JULE-TRE -
सराय
ECAD 4804 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Ear99 8542.32.0071 1 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 सवार 25s, 800 और
IS25WQ020-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JULE-TR -
सराय
ECAD 4204 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran IS25WQ020 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2156-IS25WQ020-JULE-TRE Ear99 8542.32.0071 1 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 1ms
IS46LD32128C-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1-TR -
सराय
ECAD 1891 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR Ear99 8542.32.0036 1 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS43LD32128C-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPL-TR -
सराय
ECAD 1600 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128C-25BPL-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS43LD32128A-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL-TR -
सराय
ECAD 3065 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS43LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128A-25BPL-TR शिर 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS43LD32128C-18BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-18BPL-TR -
सराय
ECAD 3021 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128C-18BPL-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS46LD32128C-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA2-TR -
सराय
ECAD 3161 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
सराय
ECAD 2362 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128A-25BPLA1 शिर 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS25LP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp040e-jble-tr -
सराय
ECAD 6618 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25LP040 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP040E-JBLE-TR Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 1.2ms
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
सराय
ECAD 4734 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LQ512 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-वीवीएसओपी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LQ512B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 512kbit 8 एनएस चमक 64K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
सराय
ECAD 5860 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran IS25LQ020 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LQ020B-JULETR Ear99 8542.32.0071 5,000 १०४ सराय सराय 2mbit 8 एनएस चमक 256K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS25LP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE 0.4000
सराय
ECAD 825 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LP020 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP020E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 2mbit 8 एनएस चमक 256K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS25LP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE-TRE 0.4000
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LP040 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS21TF08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JCLI 20.1600
सराय
ECAD 4454 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21tf08g फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF08G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
IS25WJ032F-JTLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wj032f-jtle-tr 1.1100
सराय
ECAD 4 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar Is25wj032f फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS42S16400E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400E-7TL 1.1100
सराय
ECAD 2 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii - रोहस सराय 2156-IS42S16400E-7TL Ear99 8542.32.0002 1 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 Lvttl -
IS49RL36160A-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-093EBL 88.0700
सराय
ECAD 119 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-LBGA IS49RL36160 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49RL36160A-093EBL Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz सराय 576MBIT 7.5 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
IS66WVS4M8ALL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI 3.6600
सराय
ECAD 395 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Is66wvs4m8 Psram (sram sram) 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 १०४ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस तड़प ४ सींग x 8 SPI, QPI -
IS66WVO8M8DBLL-166BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO8M8DBLL-166BLI 4.5800
सराय
ECAD 49 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Is66wvo8m8 Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS66WVO8M8DBLL-166BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 १६६ सराय सराय 64mbit तड़प 8 सीन x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 36NS
IS66WVQ4M4DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3.4400
सराय
ECAD 480 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS66WVQ4M4 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 २०० सराय सराय 16Mbit तड़प ४ सींग x ४ सवार 40NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम