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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल घड़ी आवृत अँगुला तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Rayr स टोपोलॉजी वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट
IS64LF25636A-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636A-7.5B3LA3 23.2447
सराय
ECAD 8562 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS64LF25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS62WV25616EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI-TR -
सराय
ECAD 8109 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2-TR -
सराय
ECAD 6254 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS61LV6416-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T -
सराय
ECAD 9389 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV6416 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 135 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 10NS
IS61LF12836EC-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI 7.8683
सराय
ECAD 9494 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १३३ सराय सराय 4.5mbit 6.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS43TR85120B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI-TR 7.7140
सराय
ECAD 9865 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR85120B-125KBLI-TR 2,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS61WV51216BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216BLL-10TLI-TRE 12.3000
सराय
ECAD 9043 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS61NLF102418-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3I -
सराय
ECAD 2885 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLF102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS62WV12816BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI-TR -
सराय
ECAD 7901 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33WBLI -
सराय
ECAD 5594 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
सराय
ECAD 5783 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S86400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी -
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-बीजीए IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-बीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1733 Ear99 8542.32.0036 198 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS43QR16512A-075VBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBL-TR 16.1861
सराय
ECAD 4951 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43QR16512A-075VBL-TR 2,000 १.३३३ सरायम सराय 8gbit 18 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
सराय
ECAD 5145 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 10NS
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
सराय
ECAD 4415 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-JLLE 4.0444
सराय
ECAD 5161 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP256E-JLLE 480 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS46R16160F-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA2 5.3646
सराय
ECAD 6088 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS46R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3-TRE 4.1685
सराय
ECAD 7668 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS65WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS31BL3556-ZLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31BL3556-ZLS4-TR -
सराय
ECAD 3029 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * R टेप ray ryील (ther) शिर IS31BL3556 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 2,500
IS61LP6436A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQLI-TR 5.4170
सराय
ECAD 1588 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LP6436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १३३ सराय सराय 2mbit 4 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
IS49RL18320-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125BL -
सराय
ECAD 1413 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 168-LBGA IS49RL18320 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 119 800 तंग सराय 576MBIT 12 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
IS25WP128F-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RMLE-TRE 2.0788
सराय
ECAD 1091 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 1.95V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP128F-RMLE-TR 1,000 १६६ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS45VM16800H-75BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA2-TR -
सराय
ECAD 8284 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45VM16800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR81024B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBLI 22.8583
सराय
ECAD 9132 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR81024B-107MBLI 136 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS42SM32160C-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-7BLI-TR -
सराय
ECAD 7627 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42SM32160 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS61QDPB42M36A2-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550M3L -
सराय
ECAD 2551 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdpb42 Sram - कthama theircut 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ५५० सराय सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS61VF204836B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF204836B-7.5TQLI 123.9810
सराय
ECAD 8445 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61VF204836 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 सराय सराय 72MBIT 7.5 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS25WP064A-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-RHLE-TRE 1.5086
सराय
ECAD 3474 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Is25wp064 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVPS204818B-166B3LI 139.9172
सराय
ECAD 1135 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VVPS204818 SRAM - PANRA, THER 1.71V ~ 1.89V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १६६ सराय सराय 36mbit 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
IS31FL3216A-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is31fl3216a-qfls2-tr -
सराय
ECAD 7164 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 28-wfqfn ने पैड को को antahar रत्न IS31FL3216 - 28-QFN (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 2,500 20ma 16 तमाम - 5.5V कांपना 2.7V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम