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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS61LPS25618A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200B2I-TR -
सराय
ECAD 6044 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61LPS25618 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
IS49NLC93200-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25WBLI -
सराय
ECAD 1258 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
IS42VM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI-TR -
सराय
ECAD 1505 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42VM32800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61LV25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10KLI -
सराय
ECAD 8389 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61LV25616 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 16 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBLI-TR 3.9938
सराय
ECAD 8610 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 २६६ सराय सराय 256Mbit 500 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TRE 4.2932
सराय
ECAD 9029 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS66WVC4M16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
IS45VM16800H-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA1 -
सराय
ECAD 9311 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45VM16800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TL 4.2963
सराय
ECAD 4896 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS61WV10248BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI 13.5201
सराय
ECAD 4997 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61WV10248 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-‘, 9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 210 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 10NS
IS42S32800J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TLI-TR 5.6329
सराय
ECAD 8740 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS46LR32160C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1 10.4878
सराय
ECAD 6904 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 12NS
IS61NVP25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25636A-200TQLI-TR 12.7500
सराय
ECAD 4341 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NVP25636 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS63WV1024BLL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12HLI 1.8965
सराय
ECAD 5670 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी ranak) IS63WV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 234 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 12NS
IS25WQ020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE -
सराय
ECAD 2444 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25WQ020 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 570 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 1ms
IS45S16400F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2 -
सराय
ECAD 3416 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LPS51236A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3LI -
सराय
ECAD 1667 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPS51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS25LQ025B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JBLE -
सराय
ECAD 3880 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25LQ025 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1326 Ear99 8542.32.0071 90 १०४ सराय सराय 256kbit चमक 32K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS25WP016-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp016-jble-tr -
सराय
ECAD 3420 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) Is25wp016 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 800 ओएफएस
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRE 6.8508
सराय
ECAD 4351 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS43R86400D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL-TR 7.5000
सराय
ECAD 8668 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS42S32800B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7B-TR -
सराय
ECAD 8739 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS62WV5128BLL-55HI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HI -
सराय
ECAD 8909 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 234 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS43R16160D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TLI 3.9014
सराय
ECAD 1732 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS41LV16105D-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105D-50TLI-TR 5.3797
सराय
ECAD 1138 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 50-tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak), 44 लीड IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV25616DBLL-45TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI-TR -
सराय
ECAD 8295 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
IS43TR82560B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBLI-TR -
सराय
ECAD 1640 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S16800E-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BL-TR -
सराय
ECAD 6355 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43R16160F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI-TR 4.0429
सराय
ECAD 5246 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV1288DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288DBLL-45HLI -
सराय
ECAD 2916 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी ranak) IS62WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.3V ~ 3.6V 32-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 234 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 45NS
IS43TR16640B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBL -
सराय
ECAD 1063 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 190 933 सरायम सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम