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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल घड़ी आवृत अँगुला तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Rayr स टोपोलॉजी वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट
IS42S16160B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BI -
सराय
ECAD 7061 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-LFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6TLI -
सराय
ECAD 4664 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43TR82560BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-15HBL -
सराय
ECAD 8015 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 242 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS43LD32320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-25BLI-TRE -
सराय
ECAD 4114 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,200 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
IS46R16160F-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5TLA1-TR 4.0898
सराय
ECAD 5841 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS46R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS32LT3173-GRLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3173-GLA3-TRE-TRE -
सराय
ECAD 9728 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सियारह, तमाम सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) रत्न IS32LT3173 - 8-sop-ep तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 2,500 200MA 1 तमाम - 5.5V कांपना 2.5V 42V
IS43LR16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800F-6BL-TR-TRE -
सराय
ECAD 4632 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43LR16800 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,000 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25WP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp080d-jble-tr 0.6025
सराय
ECAD 5785 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25WP080 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS61VPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418B-200TQLI 17.2425
सराय
ECAD 9306 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61VPS102418 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S32800D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BLI-TR -
सराय
ECAD 3664 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS46TR82560DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560DL-125KBLA2-TRE -
सराय
ECAD 3202 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR82560DL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS25WP016-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp016-jkle -
सराय
ECAD 9946 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana Is25wp016 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 570 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 तमाम 800 ओएफएस
IS43TR16128C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBLI 5.9261
सराय
ECAD 3961 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32800D-75EB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EB -
सराय
ECAD 3916 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS45S16320D-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1-TR 19.6500
सराय
ECAD 1567 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS45S32200L-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6TLA1 4.6963
सराय
ECAD 7581 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS42S16160G-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI-TR -
सराय
ECAD 5706 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS45S16320D-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7TLA2 22.4933
सराय
ECAD 7575 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS46LD32320A-3BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA2-TR -
सराय
ECAD 4982 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32320 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,200 ३३३ सरायम सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
IS42VM32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI-TR 2.3989
सराय
ECAD 3062 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42VM32100 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 32Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 32 तपस्वी -
IS25LP128F-RMLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp128f-rmla3-tr 2.4941
सराय
ECAD 7046 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP128F-RMLA3-TRE 1,000 १६६ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS25LQ512A-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512A-JDLE-TRE -
सराय
ECAD 9132 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) IS25LQ512 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-TSSOP - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,500 80 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 सवार 400 ओएफएस
IS42S32200E-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BI -
सराय
ECAD 8795 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS43LR16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800F-6BLI -
सराय
ECAD 2913 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43LR16800 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 300 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS71LD32160WP128-3BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS71LD32160WP128-3BPLI -
सराय
ECAD 4013 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - IS71LD32160 फmut - न ही, DRAM - LPDDR2 1.2V, 1.8V 168-बीजीए - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Q9572210 3A991B1A 8542.32.0071 10 १३३ सराय सींग 128MBIT (S फth,), 512Mbit (DRAM) अफ़म, रत्न - तपस्वी -
IS63WV1024BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI-TR 2.2334
सराय
ECAD 4291 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS63WV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 12NS
IS42S32800G-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BLI-TR 7.7700
सराय
ECAD 5341 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS42S32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BL-TR -
सराय
ECAD 5218 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS29GL064-70BLED ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL064-70BLED 3.0145
सराय
ECAD 8077 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS29GL064-70BLED 480
IS46DR16160B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-3DBLA1 5.6812
सराय
ECAD 9275 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 209 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम