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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR -
सराय
ECAD 6667 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2 -
सराय
ECAD 4514 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62C1024AL-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI-TR 2.6100
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62C1024 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 सराय 1mbit 35 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 35NS
IS25LQ010B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JDLE -
सराय
ECAD 2854 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) IS25LQ010 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 1mbit चमक 128K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1.5722
सराय
ECAD 2647 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62WV6416FBLL-45TLI 135 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 45NS
IS46LQ16256AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062BLA2 -
सराय
ECAD 5101 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16256AL-062BLA2 136 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL 18NS
IS42S16320D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7TLI-TR 13.8300
सराय
ECAD 7481 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS43LR32320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-6BLI-TR 8.1130
सराय
ECAD 5343 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LR32320C-6BLI-TRE 2,500 १६६ सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
IS61C256AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12JLI 1.5200
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-((0.300 ", 7.62 मिमी ranak) IS61C256 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 25 सराय 256kbit 12 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 12NS
IS42S32800D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BLI-TR -
सराय
ECAD 1521 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS42SM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-6BLI-TR -
सराय
ECAD 4910 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32200 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS46TR16256B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA1 8.4090
सराय
ECAD 5195 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16256B-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS43DR16128B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBLI -
सराय
ECAD 5190 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 162 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32160F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BL 11.2810
सराय
ECAD 9366 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43R32800B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800B-6BL -
सराय
ECAD 2731 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 144-MINIBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 189 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
IS61DDB41M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36-250M3 -
सराय
ECAD 3013 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB41 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 5.85 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS43TR16640B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI-TR -
सराय
ECAD 7248 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S16160G-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TL 3.7208
सराय
ECAD 6720 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR16256A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA1-TR -
सराय
ECAD 9290 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS62WV5128DALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI -
सराय
ECAD 1047 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS62WV5128EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI -
सराय
ECAD 8259 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 1 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-बीजीए IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-बीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1733 Ear99 8542.32.0036 198 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
सराय
ECAD 5 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16160 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1313 Ear99 8542.32.0024 348 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS43QR16256A-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI-TRE -
सराय
ECAD 4541 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42S16160D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETLI -
सराय
ECAD 5482 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR16128AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA2 -
सराय
ECAD 7844 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLS96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BLI -
सराय
ECAD 1262 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
सराय
ECAD 3507 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS49NLC36800-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25EBL -
सराय
ECAD 5867 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC36800 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 8 सिया x 36 तपस्वी -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
सराय
ECAD 4415 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम