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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल घड़ी आवृत अँगुला तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Rayr स टोपोलॉजी वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट
IS49NLS96400-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-25BL -
सराय
ECAD 8691 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ४०० सराय सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
IS25CD010-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25cd010-jnle-tr -
सराय
ECAD 3222 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25CD010 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 5ms
IS45S16800F-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7CTLA1-TR 5.1909
सराय
ECAD 4197 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS42RM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-75BLI -
सराय
ECAD 6179 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32400 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS46LQ32640A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA2 -
सराय
ECAD 4944 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32640A-062BLA2 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 LVSTL -
IS34MW02G084-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-BLI-TR 4.3621
सराय
ECAD 4179 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS34MW02G084-BLI-TR 2,500 सराय 2 जीबिट 30 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 45NS
IS61NLF51236-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-6.5B3 -
सराय
ECAD 6126 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS61VPD51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3 -
सराय
ECAD 5772 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPD51236 Sram - कthama theircut 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS31FL3719-QFLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is31fl3719-qfls4-tr -
सराय
ECAD 2943 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 32-wfqfn ने पैड को को ranahir ran रत्न - 32-क तंग 3 (168 घंटे) 2,500 - 9 नहीं तृणता 5.5V मैं एसी 2.7V -
IS41LV16100D-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100D-50KLI-TR -
सराय
ECAD 3506 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 42-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS41LV16100 तंग - ईदो 3V ~ 3.6V 42-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wx064-jhla3 2.5760
सराय
ECAD 9562 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25WX064 चमक 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 २०० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ -
IS25WQ020-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JBLE-TR -
सराय
ECAD 9850 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WQ020-JBLE-TR 2,000 १०४ सराय सराय 2mbit 8 एनएस चमक 256K x 8 सवार 25s, 1ms
IS25WP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp040e-jble-tr 0.3889
सराय
ECAD 3193 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP040E-JBLE-TR 2,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 40s, 1.2ms
IS46TR16640C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA25-TRE -
सराय
ECAD 5165 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 115 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43R16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR 5.1123
सराय
ECAD 6886 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
सराय
ECAD 2070 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1719 Ear99 8542.32.0036 190 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49RL36320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-107EBL 109.1224
सराय
ECAD 4558 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-LBGA Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49RL36320-107EBL 119 933 सरायम सराय 1.152GBIT 8 एनएस घूंट 32 सिया x 36 तपस्वी -
IS43DR82560C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBL-TR 6.3808
सराय
ECAD 2362 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43DR82560C-25DBL-TR 2,000 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 एनएस घूंट २५६ सिया x k Sstl_18 15NS
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
सराय
ECAD 6587 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 Sstl_15 15NS
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wj064f-jble-tr 0.9320
सराय
ECAD 6199 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1.6ms
IS61LPS25636A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B3LI-TR 14.7000
सराय
ECAD 5685 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPS25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BLI-TR 2.6189
सराय
ECAD 3451 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS43R16800E-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TL-TR 2.2369
सराय
ECAD 9306 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 २०० सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16128AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA1 -
सराय
ECAD 7204 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LP256D-RGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RGEL-TRE -
सराय
ECAD 5263 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25LP256 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस चमक 32 सिया x 8 तमाम 800 ओएफएस
IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBL 7.8500
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1731 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS65WV1288FBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55CTLA3 -
सराय
ECAD 3333 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS65WV1288 Sram - सिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3 Ear99 8542.32.0041 156 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 55NS
IS42S16160G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL-TR 3.5682
सराय
ECAD 8069 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS42SM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-75BLI-TR -
सराय
ECAD 5920 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32200 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS62WV5128BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TI -
सराय
ECAD 6645 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 156 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम