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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल घड़ी आवृत अँगुला तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Rayr स टोपोलॉजी वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट
IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TRE 11.3050
सराय
ECAD 8234 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS61WV204816BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816BLL-10TLI-TRE 18.6300
सराय
ECAD 9992 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS61WV204816 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 32Mbit 10 एनएस शिर 2 सींग x 16 तपस्वी 10NS
IS66WV51216DBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-55TLI -
सराय
ECAD 3972 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS66WV51216 Psram (sram sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 135 सराय 8mbit 55 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS42S16100H-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7BL-TR 1.3075
सराय
ECAD 6060 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TRE 12.9738
सराय
ECAD 3827 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS42S16400J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL-TR 1.6875
सराय
ECAD 7569 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S16320F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TLI-TR 11.4600
सराय
ECAD 6207 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 167 अय्यर सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS31FL3732-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is31fl3732-qfls2-tr 1.2000
सराय
ECAD 4960 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 40-wfqfn ने पैड को को ranahir ran रत्न IS31FL3732 - 40-क तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 2,500 34ma 18 - - 5.5V एक प्रकार का 2.7V -
IS25WP040E-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JBLE 0.4261
सराय
ECAD 9254 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25WP040 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WP040E-JBLE Ear99 8542.32.0071 90 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS43TR81280CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL 3.5686
सराय
ECAD 3402 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR81280CL-107MBL Ear99 8542.32.0032 242 933 सरायम सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS25LP020E-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3-TRE 0.4537
सराय
ECAD 1090 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP020E-JNLA3-TRE 3,000
IS25LX128-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lx128-jhle-tr 3.0442
सराय
ECAD 6724 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25LX128 चमक 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LX128-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ -
IS34MW01G084-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI 3.6500
सराय
ECAD 5673 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS34MW01G084-BLI 220 सराय 1gbit 30 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 45NS
IS43QR81024A-083TBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL-TR 16.0930
सराय
ECAD 2841 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43QR81024A-083TBL-TR 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit 18 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS43R32400E-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BL 4.7139
सराय
ECAD 7457 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 189 २०० सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
IS61WV25616FBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FBLL-10BLI 2.9982
सराय
ECAD 9060 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV25616FBLL-10BLI 480 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS21TF08G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is21tf08g-jqli-tr -
सराय
ECAD 5695 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Is21tf08g फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF08G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
IS62C5128EL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45TLI-TR 3.2532
सराय
ECAD 6007 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-TSOP II - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62C5128EL-45TLI-TR 1,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS43TR82560BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-125KBLI -
सराय
ECAD 6076 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 242 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS46DR16640C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1 5.9979
सराय
ECAD 2883 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 209 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32200L-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7B -
सराय
ECAD 7440 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS61NLP102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200TQLI 19.1200
सराय
ECAD 8368 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S16800E-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETL-TR -
सराय
ECAD 2652 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61QDP2B22M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B22M18A-333M3L 71.5551
सराय
ECAD 4659 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdp2 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ३३३ सरायम सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
IS43TR16128DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-125KBL 4.6100
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1724 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LP032D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp032d-jnla3-tr 1.1255
सराय
ECAD 1615 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP032D-JNLA3-TRE 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS42S16160B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BL -
सराय
ECAD 2238 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-LFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LF6436A-8.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQLI 5.9867
सराय
ECAD 7951 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF6436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 90 तंग सराय 2mbit 8.5 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
IS61LV6416-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10KLI -
सराय
ECAD 9515 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61LV6416 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 16 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 10NS
IS46DR16320D-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1-TRA 5.7150
सराय
ECAD 3850 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
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    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम