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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1-TRA 12.8611
सराय
ECAD 6093 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL 18NS
IS61WV51216EEALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20TLI-TRE 6.6714
सराय
ECAD 2503 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV51216EEALL-20TLI-TR 1,000 सराय 8mbit 20 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 20NS
IS43R16160D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL 4.7138
सराय
ECAD 3797 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16256AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1 -
सराय
ECAD 3553 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR 2.5289
सराय
ECAD 3202 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR 2,500 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
IS25WP032D-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-RMLE-TY 1.1336
सराय
ECAD 9803 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WP032D-RMLE-TY 176 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TRE 11.9035
सराय
ECAD 3640 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR 2,500 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS61WV204816ALL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-12TLI-TR 17.8353
सराय
ECAD 9975 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR 1,500 सराय 32Mbit 12 एनएस शिर 2 सींग x 16 तपस्वी 12NS
IS46LQ16128A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA2-TRA -
सराय
ECAD 1418 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128A-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS46TR16256B-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-107MBLA2 10.1514
सराय
ECAD 8628 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16256B-107MBLA2 190 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS43LQ16128AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062BLI-TR -
सराय
ECAD 6849 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16128AL-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS25LP032D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp032d-jnla3-tr 1.1255
सराय
ECAD 1615 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP032D-JNLA3-TRE 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS61VPS102436B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250B3L 94.1664
सराय
ECAD 1583 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPS102436 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २५० तंग सराय 36mbit 2.8 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS46LD32128A-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2 -
सराय
ECAD 9926 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128A-25BPLA2 शिर 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS61WV25616FALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FALL-10TLI 3.2472
सराय
ECAD 8981 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV25616FALL-10TLI 135 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10KLI 4.9249
सराय
ECAD 1336 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61WV2568 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 19 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी 10NS
IS43TR16512BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBLI-TR 20.1229
सराय
ECAD 1825 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR16512BL-107MBLI-TR 2,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS46LQ32640A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA1-TR1 -
सराय
ECAD 1841 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32640A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 LVSTL -
IS43TR81024BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI 22.8583
सराय
ECAD 4644 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR81024BL-107MBLI 136 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS25LE01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE01G-RILE-TR 11.3848
सराय
ECAD 2500 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-एलबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LE01G-RILE-TRE 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit 8 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS43LD32128C-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI-TR -
सराय
ECAD 1550 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS22TF128G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1-TR 74.4800
सराय
ECAD 6033 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF128G-JQLA1-TRE 1,000 २०० सराय सराय 1tbit चमक 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2-TR -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR 2,500 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS43TR85120B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI 8.3085
सराय
ECAD 6531 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR85120B-125KBLI 242 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TRE 11.3050
सराय
ECAD 8234 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TRE 12.9738
सराय
ECAD 3827 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
IS25LP064A-JGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JGEL-TRE -
सराय
ECAD 9510 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Is25lp064 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 800 ओएफएस
IS61C3216AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI-TR 1.8501
सराय
ECAD 4530 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61C3216 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 512kbit 12 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 12NS
IS46TR16256BL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA1 8.9696
सराय
ECAD 8044 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 190 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS61QDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36-250M3 -
सराय
ECAD 2396 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdb21 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 7.5 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम