SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम)
TLP2735(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 1.8300
सराय
ECAD 2993 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2735 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 9v ~ 15v 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 २० सना हुआ 10Mbps -, 4NS 1.61V 15ma 5000VRMS 1/0 25kv/µs 100ns, 100ns
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGBTP, ई 1.7900
सराय
ECAD 5371 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 500 @ 600% @ 500µa 3, 3 300MV
TLP9148J(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (OGI-TL, F) -
सराय
ECAD 5576 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9148J (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (ई) 1.9100
सराय
ECAD 5123 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2372 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.2V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) 264-TLP2372 (ई) Ear99 8541.49.8000 125 8 सना हुआ 20Mbps 2.2NS, 1.6NS 1.53V 8MA 3750VRMS 1/0 20kv/µs 75NS, 75NS
TLP105(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (V4-TPL, F) -
सराय
ECAD 2136 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP105 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग 264-TLP105 (V4-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP5, ई 0.9200
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP628 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 5.5, एस, 10 एंड एस 350V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10s, 10 और 400MV
TLP754F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (D4-TP4, F) -
सराय
ECAD 8338 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP754 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 30V 8-एसएमडी तंग 264-TLP754F (D4-TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 सना हुआ 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550NS, 400NS
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4-y-tp6, f) -
सराय
ECAD 3052 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (d4-y-tp6f) tr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 9916 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP2530 डीसी 2 तंग 8-एसएमडी तंग 264-TLP2530 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 8MA - 15V 1.65V २५ सना हुआ 2500VRMS 7% @ 16ma 30% @ 16ma 300NS, 500NS -
TLP9118(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (OGI-TL, F) -
सराय
ECAD 4527 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9118 (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP781(TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781 (टेलthu, एफ) -
सराय
ECAD 4761 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (TELSF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP161J(V4DMTR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4DMTR, C, F -
सराय
ECAD 7599 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161 - 1 (असीमित) 264-TLP161J (V4DMTRCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP161J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T7TL, U, C, F -
सराय
ECAD 8555 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161 - 1 (असीमित) 264-TLP161J (T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP2348(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (टीपीएल, ई, ई 1.1200
सराय
ECAD 6742 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2348 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 30V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 ५० सदा 10Mbps 3NS, 3NS 1.55V 15ma 3750VRMS 1/0 30kv/extramss 120NS, 120NS
TLP620-4(D4BLFNC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4BLFNC, एफ -
सराय
ECAD 7592 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग 264-TLP620-4 (D4BLFNCF Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP627MF(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (LF4, ई 0.9200
सराय
ECAD 8318 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 100 150ma 60 के दशक, 30 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110 और, 30 और 1.2V
TLP714F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4-MBSTP, एफ -
सराय
ECAD 8895 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP714 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 30V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP714F (D4-MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 15 सना हुआ 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550NS, 400NS
TLP628-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 628-2 (एफ) -
सराय
ECAD 5515 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP628 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 628-2 (एफ) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF2, F) -
सराय
ECAD 1724 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP732 - 1 (असीमित) 264-TLP732 (GB-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP531(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (y, f) -
सराय
ECAD 2336 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (YF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-GR-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GR-FD, F) -
सराय
ECAD 2489 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GR-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP781(D4-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-TP6, F) -
सराय
ECAD 2044 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-TP6F) TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRLL6TC, एफ -
सराय
ECAD 1217 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4GRLL6TCFTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DPW-TPL, F) -
सराय
ECAD 6810 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP105 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग 264-TLP105 (DPW-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (ई) 0.8000
सराय
ECAD 9779 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP388 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग 1 (असीमित) 264-टीएलपी 388 (ई) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 350V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP2768F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4MBSTP, एफ -
सराय
ECAD 9277 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) डीसी 1 क्योरसुरी, किल्वनस, 2.7V ~ 5.5V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP2768F (D4MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP628MX2 Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MX2 -
सराय
ECAD 4261 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP628 डीसी 1 शराबी 4 तंग - 1 (असीमित) 264-TLP628MX2 Ear99 8541.49.8000 50 50mA 5.5, एस, 10 एंड एस 350V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10s, 10 और 400MV
TLP2200(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2200 (एलएफ 2, एफ) -
सराय
ECAD 1247 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP2200 - 1 (असीमित) 264-TLP2200 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP620-2(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-LF2, F) -
सराय
ECAD 9789 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 2 शराबी 8- तंग 264-TLP620-2 (D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F1, J, F -
सराय
ECAD 8173 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (D4IM-F1JF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम