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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) सराफकस अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम)
TLP570(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 570 (एफ) -
सराय
ECAD 5832 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP570 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 570 (एफ) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL,) -
सराय
ECAD 1485 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (BLLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP2531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (LF1, F) -
सराय
ECAD 2555 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग डीसी 2 तंग 8-एसएमडी तंग 264-TLP2531 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8MA - 15V 1.65V २५ सना हुआ 2500VRMS 19% @ 16MA - - -
TLP731(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 731 (एफ) -
सराय
ECAD 3594 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 731 (एफ) Ear99 8541.49.8000 50
TLP552(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 552 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 7024 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP552 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 552 (टीपी 1 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP550(TOJS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (TOJS-O, F) -
सराय
ECAD 3724 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550 (TOJS-of) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4BLF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLF7, एफ -
सराय
ECAD 8699 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4BLF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP291(YH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (YH-TP, SE 0.4300
सराय
ECAD 7296 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 785 (बीएल, एफ) 0.6400
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-C172, F) -
सराय
ECAD 9187 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP733 डीसी 1 तंग 6 तप - रोहस अफ़मार तंग TLP733F (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 4000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRH, E) -
सराय
ECAD 4579 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GRHE) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (ई) 1.0200
सराय
ECAD 7801 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP187 डीसी 1 Darlington 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 150ma 40s, 15 और 300V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GB, F) -
सराय
ECAD 7338 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (IFT5, U, C, F -
सराय
ECAD 8905 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161G - 1 (असीमित) 264-TLP161G (IFT5UCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-BL, एफ एफ -
सराय
ECAD 2555 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4-BLF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785F(GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-TP7, एफ -
सराय
ECAD 1625 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (GB-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-LF6, F) -
सराय
ECAD 4918 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP9121A(MURGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MURGBTL, एफ -
सराय
ECAD 4467 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9121A (MURGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) -
सराय
ECAD 8264 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (OGI-TL, F) -
सराय
ECAD 2225 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9104 (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp718f (f) -
सराय
ECAD 9089 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP718 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-गूल गूल विंग तंग 264-एफ 718 एफ (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Y-LF5, F) -
सराय
ECAD 4947 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (Y-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP532(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GRL, F) -
सराय
ECAD 2775 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-TLP532 (GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP532(BL-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TP5, F) -
सराय
ECAD 2519 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 532 (बीएल-टीपी 5 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785F(D4-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-LF7, एफ -
सराय
ECAD 1092 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (ई) 1.2800
सराय
ECAD 9923 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP109 डीसी 1 शराबी 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 5A991 8541.49.8000 125 8MA - 20 वी 1.64V २० सना हुआ 3750VRMS 20% @ 16ma - 800NS, 800NS (अधिकतम) -
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (ther, एफ) -
सराय
ECAD 4494 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-‘531 (पर) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4FA1T1SJ, एफ -
सराय
ECAD 4617 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (D4FA1T1SJF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, ई 0.9300
सराय
ECAD 5883 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 60 के दशक, 30 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110 और, 30 और 1.2V
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRF7TC, एफ -
सराय
ECAD 1337 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GRF7TCF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम