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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 620-2 (पर, एफ) -
सराय
ECAD 6523 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 2 शराबी 8- तंग 264-‘620-2 (पर) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (जे, एफ) -
सराय
ECAD 5085 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 शराबी 8- तंग रोहस अफ़मार तंग TLP759 (JF) Ear99 8541.49.8000 50 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - 200NS, 300NS -
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
सराय
ECAD 4843 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP124F डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) टीएलपी 124 (एफ एफ) Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C172, एफ) -
सराय
ECAD 4589 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP734 डीसी 1 शराबी 6 तप - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP734 (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 4000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (टीपी 1, एफ एफ 2.0100
सराय
ECAD 2537 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (5 लीड), विंग विंग TLP3073 Cqc, cur, ur 1 triac 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V ५० सदा 5000VRMS 800 वी 100 सवार 1ma नहीं 2kv/thss (vana) 5ma -
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (ई) -
सराय
ECAD 9400 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2745 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 30V 6- - 1 (असीमित) 264-TLP2745 (ई) Ear99 8541.49.8000 125 ५० सदा - 3NS, 3NS 1.55V 15ma 5000VRMS 1/0 30kv/extramss 120NS, 120NS
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (V4GBTPE 1.0600
सराय
ECAD 4931 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.2V ५० सदा 2500VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (ई, ई, ई 1.6000
सराय
ECAD 4090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP293 डीसी 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP155 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 - 35NS, 15NS 1.55V 20ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 170NS, 170NS
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (एसएनडी-टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 5940 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9104 (SND-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4T5TRUC, F -
सराय
ECAD 7918 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161 - 1 (असीमित) 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 1.1100
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2745 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 30V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 ५० सदा - 3NS, 3NS 1.55V 15ma 5000VRMS 1/0 30kv/extramss 120NS, 120NS
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 9923 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP631 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 631 (टीपी 1 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281 (GB-TP, F) -
सराय
ECAD 2615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TLP281 डीसी 1 शराबी 4-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 9395 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP2630 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 2630 (टीपी 1 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP161J(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (IFT5, U, C, F -
सराय
ECAD 8740 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161J - 1 (असीमित) 264-TLP161J (IFT5UCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (TP5, F) -
सराय
ECAD 9877 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP358 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 8-एसएमडी तंग 264-TLP358 (TP5F) Ear99 8541.49.8000 1 5.5 ए - 17NS, 17NS 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 500NS, 500NS
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (LF4, ई 1.8500
सराय
ECAD 6302 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5702 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1.65V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/gronss 200NS, 200NS
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 290 (जीबी-टीपी, ई) -
सराय
ECAD 9873 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP290 अफ़मत्रा 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4 एस, 7 एंड एस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma 7 एस, 7 एस.एस. 300MV
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (बीवी, एफ) -
सराय
ECAD 4856 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP137 डीसी 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP137 (BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (डी 4, एफ) -
सराय
ECAD 8939 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 क्योरसुरी, किल्वनस, 4.5V ~ 30V 8- तंग 264-TLP754 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 सना हुआ 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550NS, 400NS
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (ई) 1.2600
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5701 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 ६०० सना हुआ - 50ns, 50ns 1.57V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 500NS, 500NS
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0.6000
सराय
ECAD 9189 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 624-2 (एफ) -
सराय
ECAD 3253 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP624 डीसी 2 शराबी 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8s, 8 और 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP185(GRH-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH-TR, SE -
सराय
ECAD 1163 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 तंग 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP185 (GRH-TRSE Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (जीबी, ई) -
सराय
ECAD 5085 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 एस, 9 केएसएस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma 9s, 9 ARSS 300MV
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (ई) 1.0500
सराय
ECAD 1673 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2362 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 २५ सना हुआ 10MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 100ns, 100ns
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (TPL, ई 0.5100
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP183 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (TPL, U, F) -
सराय
ECAD 5638 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160G - 1 (असीमित) 264-TLP160G (TPLUF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-LF7, F) -
सराय
ECAD 3093 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (GB-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम